[發明專利]二氧化硅組合物的選擇性蝕刻有效

申請號：	200910205725.3	申請日：	2009-08-28
公開（公告）號：	CN101667609A	公開（公告）日：	2010-03-10
發明（設計）人：	G·M·米歇爾;S·A·莫蒂卡;A·D·約翰遜	申請（專利權）人：	氣體產品與化學公司
主分類號：	H01L31/18	分類號：	H01L31/18;H01L21/00
代理公司：	中國專利代理(香港)有限公司	代理人：	萬雪松;韋欣華
地址：	美國賓夕***	國省代碼：	美國;US
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摘要：
搜索關鍵詞：	二氧化硅組合選擇性蝕刻
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【權利要求書】：

1.一種優先于硅而選擇性蝕刻含二氧化硅的材料的方法，該方法包括以下步驟：

將具有含二氧化硅的材料層的硅襯底放置于配有能量源的反應室中；

在該反應室中制造真空；

向該反應室中引入包含氟化合物、可聚合碳氟化合物和惰性氣體的反應氣體混合物，其中該反應氣體混合物中基本不含有添加的氧，其中該可聚合碳氟化合物是具有C_hF_i分子式的化合物，其中h的數值范圍為從4到6，i的數值范圍為h到2h+2，其中該氟化合物是NF3，且該可聚合碳氟化合物是C4F6，其中C4F6 的濃度是該反應氣體混合物的5％，且NF3的濃度是該反應氣體混合物的5％；

激活該能量源以在該反應室中形成等離子體激活的反應蝕刻氣體混合物；和

優先于硅襯底而選擇性蝕刻該含二氧化硅的材料。

2.根據權利要求1的方法，其中該反應氣體混合物中的可聚合碳氟化合物與氟化合物的比例為1∶1。

3.根據權利要求1的方法，其中該含二氧化硅的材料選自二氧化硅和有機硅酸鹽玻璃組成的組。

4.根據權利要求3的方法，其中該有機硅酸鹽玻璃選自磷硅酸鹽玻璃和氟硅酸鹽玻璃組成的組。

5.根據權利要求4的方法，其中該含二氧化硅的材料是磷硅酸鹽玻璃。

6.根據權利要求3的方法，其中該含二氧化硅的材料基本上是二氧化硅。

7.一種優先于硅而選擇性蝕刻含二氧化硅的材料的方法，該方法包括以下步驟：

將具有含二氧化硅的材料層的硅襯底放置于配有電極的反應室中；

在該反應室中制造真空；

向該電極提供高頻電能量以在該反應室中形成等離子體激活的反應蝕刻氣體混合物；和

優先于硅襯底而選擇性蝕刻該含二氧化硅的材料。