[發明專利]偏移側墻及MOS晶體管的形成方法有效
| 申請號： | 200910198117.4 | 申請日： | 2009-11-02 |
| 公開（公告）號： | CN102054676A | 公開（公告）日： | 2011-05-11 |
| 發明（設計）人： | 沈滿華;張海洋 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/28 | 分類號： | H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人： | 李麗 |
| 地址： | 201203 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 偏移 mos 晶體管 形成 方法 | ||
1.一種偏移側墻的形成方法，其特征在于，包括：
在半導體襯底上依次形成柵介質層與柵極，所述柵介質層與柵極構成柵極結構；
在半導體襯底上形成氮化硅層，且氮化硅層包圍柵極結構；
采用包含CHxFy氣體的混合氣體對氮化硅層進行回刻蝕，形成偏移側墻，所述偏移側墻表面具有CHxFy氣體與氮化硅反應生成的聚合物；
采用包含氫氣的混合氣體灰化去除聚合物。
2.根據權利要求1所述偏移側墻的形成方法，其特征在于，所述氫氣的流量為50sccm～200sccm。
3.根據權利要求1所述偏移側墻的形成方法，其特征在于，所述包含氫氣的混合氣體中還包括氬氣，氬氣的流量為200sccm～500sccm。
4.根據權利要求1所述偏移側墻的形成方法，其特征在于，所述采用包含氫氣的混合氣體灰化去除聚合物所需的壓力為10毫托～50毫托，功率為500W～2000W。
5.根據權利要求1所述偏移側墻的形成方法，其特征在于，所述CHxFy氣體刻蝕氮化硅層時的流量為20sccm～200sccm，占混合氣體總流量的20％～60％。
6.根據權利要求1所述偏移側墻的形成方法，其特征在于，所述偏移側墻的厚度為150埃～250埃。
7.一種MOS晶體管的形成方法，其特征在于，包括：
在半導體襯底上依次形成柵介質層與柵極，所述柵介質層與柵極構成柵極結構；
在半導體襯底上形成氮化硅層，且氮化硅層包圍柵極結構；
采用包含CHxFy氣體的混合氣體對氮化硅層進行回刻蝕，形成偏移側墻，所述偏移側墻表面具有CHxFy氣體與氮化硅反應生成的聚合物；
采用包含氫氣的混合氣體灰化去除聚合物；
以柵極結構和偏移側墻為掩模，在柵極結構兩側的半導體襯底內進離子注入，形成源/漏極延伸區；
在柵極結構兩側形成側墻后，在柵極結構及側墻兩側的半導體襯底內形成源/漏極。
8.根據權利要求7所述MOS晶體管的形成方法，其特征在于，所述氫氣的流量為50sccm～200sccm。
9.根據權利要求7所述MOS晶體管的形成方法，其特征在于，所述包含氫氣的混合氣體中還包括氬氣，氬氣的流量為200sccm～500sccm。
10.根據權利要求7所述MOS晶體管的形成方法，其特征在于，所述采用包含氫氣的混合氣體灰化去除聚合物所需的壓力為10毫托～50毫托，功率為500W～2000W。
11.根據權利要求7所述MOS晶體管的形成方法，其特征在于，所述CHxFy氣體刻蝕氮化硅層時的流量為20sccm～200sccm，占混合氣體總流量的20％～60％。
12.根據權利要求7所述MOS晶體管的形成方法，其特征在于，所述偏移側墻的厚度為150埃～250埃。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
