[發明專利]一種含氟組合液

有效

• 申請號: 200910197952.6
• 申請日: 2009-10-30
• 公開（公告）號: CN102051281A
• 公開（公告）日: 2011-05-11
• 發明（設計）人: 劉兵;彭洪修;孫廣勝
• 申請（專利權）人: 安集微電子(上海)有限公司
• 主分類號: C11D7/32
• 分類號: C11D7/32;C11D7/26;C11D7/08;C11D7/50
• 代理公司: 上海翰鴻律師事務所 31246
• 代理人: 李佳銘

技術領域

本發明涉及一種用于半導體清洗的含氟組合液。?

背景技術

在半導體元器件制造過程中，光阻層的涂敷、曝光和成像對元器件的圖案制造來說是必要的工藝步驟。在圖案化的最后(即在光阻層的涂敷、成像、離子植入和蝕刻之后)進行下一工藝步驟之前，光阻層材料的殘留物需徹底除去。在摻雜步驟中離子轟擊會硬化光阻層聚合物，因此使得光阻層變得不易溶解從而更難于除去。至今在半導體制造工業中一般使用兩步法(干法灰化和濕蝕刻)除去這層光阻層膜。第一步利用干法灰化除去光阻層(PR)的大部分；第二步利用清洗液清洗工藝除去剩余的光阻層；在這個過程中只能除去殘留的聚合物光阻層和無機物，而不能攻擊損害其接觸到的介質層；如金屬鋁層、銅層或鈦層、非金屬層如各種二氧化硅層HDP?oxide、TEOS和BPSG(硼磷摻雜的二氧化硅)等。因此在濕法清洗工藝中，除了清洗液的清洗能力要強外，控制金屬和非金屬介質層的腐蝕也較為重要和關鍵。?

氟類清洗液是在半導體工業中應用較多的一種清洗液，但是現存的氟類清洗液雖然有了較大的改進，如US?5,972,862、US?6,828,289等，但仍然存在不能很好地同時控制金屬和非金屬基材腐蝕的問題，清洗后容易造成通道特征尺寸的改變，影響其更為廣泛地使用。因此，亟需找到一類克服含氟清洗液金屬或非金屬腐蝕速率較大的缺陷，拓寬其應用范圍的清洗液。?

發明內容

本發明的目的是為了解決現有技術中對金屬腐蝕速率較大的缺陷，提供一種在含氟組合液中能對金屬鈦腐蝕起到抑制作用的復配體系(即含羧基聚合物和胍類)，并對金屬鈦腐蝕速率較小的含氟組合液。?

本發明的技術方案如下，本發明的含氟組合液包含：?

1)含羧基聚合物：10ppm～2％；優選10ppm～1％.?

2)胍類10ppm～10％；優選0.05～1％.?

3)氟化物0.1～40％；?

4)余量是載體。該載體可以是水，也可以是一般有機溶劑和水的混合物。?

本發明中所述的含羧基聚合物選自丙烯酸聚合物及其共聚物、甲基丙烯酸聚合物及其共聚物、丙烯酸聚合物的醇胺鹽、甲基丙烯酸聚合物的醇胺鹽、聚氧乙烯改性的丙烯酸聚合物及其酯和醇銨鹽、聚氧乙烯改性的甲基丙烯酸聚合物及其酯和醇銨鹽中的一種或多種，更佳的選自丙烯酸聚合物及其共聚物，丙烯酸聚合物的醇胺鹽，聚氧乙烯改性的丙烯酸聚合物及其醇銨鹽，以及聚氧乙烯改性的甲基丙烯酸聚合物及其醇銨鹽中的一種或多種。含羧基聚合物的分子量較佳的為500～100000，更佳的為1000～20000。所述的含羧基聚合物含量較佳的為10ppm～2％，更佳的為10ppm～1％。?

本發明中所述的胍類是含有胍基的物質。所謂胍基是指一個碳原子與三個氮原子連接，并且其中一個氮原子以雙鍵與碳相連，其余兩個以單鍵相連。如下式所示：?

本發明中所述的胍類較佳地為碳酸胍、醋酸胍、3-胍基丙酸、聚六亞甲?基胍和對胍基苯甲酸。所述的胍類含量較佳的為10ppm～10％；更佳的為0.05～1％。?

本發明中所述的氟化物是一般含氟類清洗液中常用的氟化物。較佳地為氟化氫、氟化氫銨(NH₄HF₂)或氟化氫與堿形成的鹽。該堿可以是氨水、季胺氫氧化物和醇胺。氟化物更佳地為氟化氫、氟化氫銨(NH₄HF₂)、四甲基氟化銨(N(CH3)₄F)或三羥乙基氟化銨(N(CH2OH)₃HF)中的一種或多種。?