[發明專利]與時間相關電介質擊穿的并行測試電路有效
| 申請號： | 200910197809.7 | 申請日： | 2009-10-28 |
| 公開（公告）號： | CN101702005A | 公開（公告）日： | 2010-05-05 |
| 發明（設計）人： | 高超 | 申請（專利權）人： | 上海宏力半導體制造有限公司 |
| 主分類號： | G01R31/28 | 分類號： | G01R31/28;H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 鄭瑋 |
| 地址： | 201203 上海*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 時間 相關 電介質 擊穿 并行 測試 電路 | ||
【權利要求書】：
1.一種與時間相關電介質擊穿的并行測試電路，其特征在于，包括：
電源模塊、多個MOS晶體管器件和多個電熔絲；
其中每一所述MOS晶體管器件的柵極端分別通過一所述電熔絲連接于所 述電源模塊，且所述多個MOS晶體管器件的源極、漏極及背柵極均接地；
所述電源模塊用于在所述多個待測MOS晶體管器件的柵極上加恒定的電 壓，使所述待測MOS晶體管器件處于積累狀態或反型狀態直至擊穿；
每一所述電熔絲用于在與其連接的待測MOS晶體管器件擊穿時熔斷，停 止對該擊穿失效的MOS晶體管器件的測試，從而輸出一電流突然增加然后又突 然減少的脈沖信號。
2.根據權利要求1所述的與時間相關電介質擊穿的并行測試電路，其特征 在于，所述電熔絲為電可編程熔絲。
3.根據權利要求1所述的與時間相關電介質擊穿的并行測試電路，其特征 在于，所述電源模塊為恒定電壓模塊。
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