[發明專利]一種橫向三極管的結構及其制造方法無效
| 申請號： | 200910197808.2 | 申請日： | 2009-10-28 |
| 公開（公告）號： | CN101777578A | 公開（公告）日： | 2010-07-14 |
| 發明（設計）人： | 易亮 | 申請（專利權）人： | 上海宏力半導體制造有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/73 | 分類號： | H01L29/73;H01L29/06;H01L21/331 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 鄭瑋 |
| 地址： | 201203上海市*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 橫向 三極管 結構 及其 制造 方法 | ||
1.一種橫向三極管，包括：襯底，在所述襯底中設有阱區，在所述阱區中設有基區、集電區和發射區，構成一個橫向三極管；其特征在于，在所述阱區中，在所述發射區下層，緊靠發射區的位置設有高濃度摻雜區。
2.如權利要求1所述的橫向三極管，其特征在于，橫向三極管為橫向PNP三極管。
3.如權利要求1所述的橫向三極管，其特征在于，橫向三極管為橫向NPN三極管。
4.如權利要求2所述的橫向三極管結構，其特征在于，橫向PNP三極管中所述摻雜區為高濃度N型摻雜區。
5.如權利要求3所述的橫向三極管結構，其特征在于，橫向NPN三極管中所述摻雜區為高濃度P型摻雜區。
6.如權利要求1所述的橫向三極管結構，其特征在于，還包括：在所述基區和所述集電區之間設有淺溝槽隔離層，在所述基區和所述襯底之間還設有淺溝槽隔離層。
7.如權利要求1所述的橫向三極管結構，其特征在于，還包括：在所述發射區和所述集電區之間的所述襯底表面上設有多晶硅層。
8.如權利要求1所述的橫向三極管的制造方法，其特征在于，包括：
提供襯底，在所述襯底中形成阱區；
在所述阱區中，在所述發射區下層，緊靠發射區的位置形成高濃度摻雜區；
在所述阱區中形成基區、集電區和發射區。
9.如權利要求9所述的橫向三極管的制造方法，其特征在于，還包括：在所述基區和所述集電區之間設有淺溝槽隔離層，位于所述基區和所述襯底之間還設有淺溝槽隔離層。
10.如權利要求9所述的橫向三極管的制造方法，其特征在于，還包括：在所述發射區和所述集電區之間的所述襯底表面上還可形成多晶硅層。
11.如權利要求9至11所述的橫向三極管的制造方法，其特征在于，還包括：在形成阱區之后和注入摻雜區之前，在所述襯底上形成所述淺溝槽隔離層和所述多晶硅層。
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