[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件上的鎢塞制造方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200910197666.X
• 申請日: 2009-10-23
• 公開（公告）號: CN102044484A
• 公開（公告）日: 2011-05-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 楊瑞鵬;聶佳相;孔祥濤
• 申請（專利權(quán)）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768
• 代理公司: 北京德琦知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11018
• 代理人: 牛崢;王麗琴

1.一種半導(dǎo)體器件上的鎢塞制造方法，該方法包括：

在半導(dǎo)體器件的層間介質(zhì)層上光刻得到通孔；

在通孔上沉積第一鈦層；

在第一鈦層上表面采用氮化方法生長氮化鈦層后，沉積第二鈦層；

在第二鈦層上進(jìn)行鎢沉積，形成鎢塞后，對形成的鎢塞進(jìn)行拋光，直到層間介質(zhì)層的上表面。

2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述沉積得到的第一鈦層厚度為100埃～200埃。

3.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，將所述半導(dǎo)體器件放入第一機(jī)臺的第一氣相沉積腔中，所述采用氮化方法生長氮化鈦層的過程為：

在第一氣相沉積腔中通入氮?dú)狻?/p>

4.如權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述通入氮?dú)獾臅r間為5秒～60秒，流量為20毫升每分鐘～80毫升每分鐘，第一氣相沉積腔設(shè)置的壓力為10毫托～20毫托，生長的氮化鈦為5埃～10埃。

5.如權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，在所述沉積第一鈦層時將所述半導(dǎo)體器件放入第一機(jī)臺的第一氣相沉積腔中。

6.如權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述沉積第二鈦層的方法為：

在第一機(jī)臺的第一氣相沉積腔內(nèi)在氮化鈦層上沉積第二鈦層。

7.如權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，所述在第二鈦層上進(jìn)行鎢沉積的方法為：

將半導(dǎo)體器件從第一機(jī)臺的第一氣相沉積腔內(nèi)轉(zhuǎn)移到第一機(jī)臺的第二氣相沉積腔內(nèi)，在第一機(jī)臺的第二氣相沉積腔內(nèi)通入氟化硅WF₆，與所述沉積得到的第二鈦層反應(yīng)，得到鎢后沉積到所述氮化鈦層上表面，得到氟化鈦氣體排出第一機(jī)臺的第二氣相沉積腔。

8.如權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，所述沉積第二鈦層的厚度10埃～50埃。

9.如權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，所述在通入氟化硅WF₆時，第一機(jī)臺的第二氣相沉積腔的溫度為300攝氏度～400攝氏度，通入的流量為150毫升每分鐘～400毫升每分鐘。