[發明專利]MOS晶體管及其制造方法

有效

• 申請號: 200910197613.8
• 申請日: 2009-10-23
• 公開（公告）號: CN102044438A
• 公開（公告）日: 2011-05-04
• 發明（設計）人: 李奉載
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L29/78;H01L29/08
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 李麗

1.一種MOS晶體管的制造方法，其特征在于，包括：

提供半導體襯底，所述半導體襯底上依次形成有柵極介質層和柵電極，所述柵電極具有第一側和第二側，所述柵電極第一側的半導體襯底為源區，第二側的半導體襯底為漏區；

對所述漏區進行輕摻雜注入、對所述源區進行源極注入，分別形成輕摻雜漏極和源極；

在所述柵極介質層上柵電極的兩側形成側墻；

對所述漏區進行漏極注入，形成漏極。

2.根據權利要求1所述的MOS晶體管的制造方法，其特征在于，所述對漏區進行輕摻雜注入包括：在所述半導體襯底上形成第一光刻膠層；圖形化所述第一光刻膠層，定義出漏區形狀；以所述第一光刻膠層為掩膜進行輕摻雜注入，之后去除所述第一光刻膠層。

3.根據權利要求1所述的MOS晶體管的制造方法，其特征在于，對所述源區進行源極注入包括：在所述半導體襯底上形成第二光刻膠層；圖形化所第二光刻膠層，定義出源區形狀；以所述第二光刻膠層為掩膜進行源極注入，之后去除所述第二光刻膠層。

4.根據權利要求1所述的MOS晶體管的制造方法，其特征在于，對所述漏區進行漏極注入包括：在所述半導體襯底上形成第三光刻膠層；圖形化所述第三光刻膠層，定義出漏區形狀；以所述第三光刻膠層為掩膜進行漏極注入，之后去除所述第三光刻膠層。

5.根據權利要求1所述的MOS晶體管的制造方法，其特征在于，所述輕摻雜離子注入劑量為10¹²～10¹³/cm²數量級。

6.根據權利要求1所述的MOS晶體管的制造方法，其特征在于，所述源極注入的劑量為10¹⁴～10¹⁵/cm²數量級。

7.根據權利要求1所述的MOS晶體管的制造方法，其特征在于，所述漏極注入的劑量為10¹⁴～10¹⁵/cm²數量級。

8.一種MOS晶體管，包括：

半導體襯底；

柵極介質層和柵電極，依次形成于所述半導體襯底上；

側墻，形成于所述柵電極的兩側；

源極，形成于所述柵電極一側的半導體襯底內；

漏極，形成于所述柵電極另一側的半導體襯底內；

輕摻雜漏結構；

其特征在于，所述輕摻雜漏結構僅形成于所述漏極內。

9.根據權利要求1所述的MOS晶體管的制造方法，其特征在于，所述輕摻雜離子注入劑量為10¹²～10¹³/cm²數量級。

10.根據權利要求1所述的MOS晶體管的制造方法，其特征在于，所述源極注入的劑量為10¹⁴～10¹⁵/cm²數量級。

11.根據權利要求1所述的MOS晶體管的制造方法，其特征在于，所述漏極注入的劑量為10¹⁴～10¹⁵/cm²數量級。