[發(fā)明專利]具有共源結(jié)構(gòu)的MOS晶體管及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200910197457.5
• 申請日: 2009-10-20
• 公開（公告）號: CN102044435A
• 公開（公告）日: 2011-05-04
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 李奉載
• 申請（專利權(quán)）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L21/265;H01L29/78;H01L29/06
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 李麗

1.一種具有共源結(jié)構(gòu)的MOS晶體管的制造方法，其特征在于，包括：

在半導(dǎo)體襯底上依次形成柵極介質(zhì)層及相鄰MOS晶體管的柵電極；

進行LDD注入，形成相鄰MOS晶體管的輕摻雜漏極；

在所述柵電極靠近輕摻雜漏極的一側(cè)形成側(cè)墻；

進行源/漏極注入，形成相鄰MOS晶體管的漏極和共源結(jié)構(gòu)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有共源結(jié)構(gòu)的MOS晶體管的制造方法，其特征在于，所述在半導(dǎo)體襯底上形成柵極介質(zhì)層及相鄰MOS晶體管的柵電極包括：在半導(dǎo)體襯底上形成覆蓋共源區(qū)的柵極介質(zhì)層及偽柵電極；在所述柵電極靠近輕摻雜漏極的一側(cè)形成側(cè)墻包括：在所述偽柵電極的兩側(cè)形成側(cè)墻。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的具有共源結(jié)構(gòu)的MOS晶體管的制造方法，其特征在于，還包括：在形成側(cè)墻后，進行源/漏極注入前，去除所述偽柵電極和柵極介質(zhì)層覆蓋共源區(qū)的部分。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有共源結(jié)構(gòu)的MOS晶體管的制造方法，其特征在于，所述在半導(dǎo)體襯底上形成柵極介質(zhì)層及相鄰MOS晶體管的柵電極包括：在半導(dǎo)體襯底上形成露出共源區(qū)的柵極介質(zhì)層及相鄰MOS晶體管的柵電極。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的具有共源結(jié)構(gòu)的MOS晶體管的制造方法，其特征在于，還包括：在進行LDD注入前，在所述柵電極上形成光刻膠層并圖案化，所述圖案化的光刻膠層覆蓋所述共源區(qū)；在形成側(cè)墻后，進行源/漏極注入前，去除所述光刻膠層。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有共源結(jié)構(gòu)的MOS晶體管的制造方法，其特征在于，所述柵極介質(zhì)層的材料為二氧化硅。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有共源結(jié)構(gòu)的MOS晶體管的制造方法，其特征在于，所述LDD注入的劑量為10¹²～10¹³/cm²。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有共源結(jié)構(gòu)的MOS晶體管的制造方法，其特征在于，所述源/漏極注入的劑量為10¹⁴～10¹⁵/cm²。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有共源結(jié)構(gòu)的MOS晶體管的制造方法，其特征在于，所述具有共源結(jié)構(gòu)的MOS晶體管的類型為NMOS晶體管。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的具有共源結(jié)構(gòu)的MOS晶體管的制造方法，其特征在于，所述LDD注入的離子類型為砷或銻。

11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的具有共源結(jié)構(gòu)的MOS晶體管的制造方法，其特征在于，所述源/漏極注入的離子類型為砷或銻。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有共源結(jié)構(gòu)的MOS晶體管的制造方法，其特征在于，所述具有共源結(jié)構(gòu)的MOS晶體管的類型為PMOS晶體管。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的具有共源結(jié)構(gòu)的MOS晶體管的制造方法，其特征在于，所述LDD注入的離子類型為硼。

14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的具有共源結(jié)構(gòu)的MOS晶體管的制造方法，其特征在于，所述源/漏極注入的離子類型為硼。

15.一種具有共源結(jié)構(gòu)的MOS晶體管，包括：

半導(dǎo)體襯底；

柵極介質(zhì)層和相鄰MOS晶體管的柵電極，依次形成于所述半導(dǎo)體襯底上；

相鄰MOS晶體管的漏極和共源結(jié)構(gòu)，分別形成于所述柵電極兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底內(nèi)，其中，所述共源結(jié)構(gòu)形成于所述相鄰MOS晶體管的柵電極之間的半導(dǎo)體襯底內(nèi)；

輕摻雜漏和側(cè)墻；

其特征在于，所述輕摻雜漏形成于所述漏極一側(cè)的半導(dǎo)體襯底內(nèi)，所述側(cè)墻形成于所述柵電極靠近漏極的一側(cè)。

16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的具有共源結(jié)構(gòu)的MOS晶體管，其特征在于，所述具有共源結(jié)構(gòu)的MOS晶體管的類型為NMOS晶體管。

17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的具有共源結(jié)構(gòu)的MOS晶體管，其特征在于，所述漏極和共源結(jié)構(gòu)的摻雜離子類型為砷或銻。

18.根據(jù)權(quán)利要求15所述的具有共源結(jié)構(gòu)的MOS晶體管，其特征在于，所述具有共源結(jié)構(gòu)的MOS晶體管的類型為PMOS晶體管。

19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的具有共源結(jié)構(gòu)的MOS晶體管，其特征在于，所述漏極和共源結(jié)構(gòu)的摻雜離子類型為硼。