[發(fā)明專利]溝槽的形成方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200910197443.3
• 申請(qǐng)日: 2009-10-20
• 公開（公告）號(hào): CN102044482A
• 公開（公告）日: 2011-05-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張海洋;孫武;尹曉明
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/768
• 分類號(hào): H01L21/768;H01L21/00
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 李麗

1.一種溝槽的形成方法，其特征在于，預(yù)先根據(jù)刻蝕氣體流量和刻蝕速率建立各刻蝕氣體流量下的刻蝕速率在晶片上分布的非線性函數(shù)模型，所述刻蝕速率包括晶片從邊緣區(qū)域到中央?yún)^(qū)域的層間介質(zhì)層的刻蝕速率，該方法還包括步驟：

提供晶片，在晶片上具有層間介質(zhì)層；

測試晶片上從邊緣區(qū)域到中央?yún)^(qū)域的所述層間介質(zhì)層的厚度變化曲線；

根據(jù)所述厚度變化曲線得到晶片從邊緣區(qū)域到中央?yún)^(qū)域所需的刻蝕速率；

利用所述所需的刻蝕速率和所述非線性函數(shù)模型，得到所需的刻蝕氣體流量和刻蝕時(shí)間；

利用所述所需的刻蝕氣體流量和刻蝕時(shí)間進(jìn)行刻蝕，在所述層間介質(zhì)層中形成溝槽。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的溝槽的形成方法，其特征在于，預(yù)先得到刻蝕氣體流量和刻蝕速率得到刻蝕速率的非線性函數(shù)模型的步驟包括：

提供具有層間介質(zhì)層的晶片模型；

對(duì)所述晶片模型上的層間介質(zhì)層刻蝕；

根據(jù)晶片中央?yún)^(qū)域到晶片邊緣區(qū)域的層間介質(zhì)層去除的厚度和刻蝕時(shí)間得到晶片從邊緣區(qū)域到中央?yún)^(qū)域的的刻蝕速率；

根據(jù)氣體流量和刻蝕速率建立各刻蝕氣體流量下的刻蝕速率在晶片上分布的非線性函數(shù)模型。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的溝槽的形成方法，其特征在于，得到晶片從邊緣區(qū)域到中央?yún)^(qū)域的的刻蝕速率后，還包括：

壓縮為至少兩個(gè)一維矩陣分別與壓縮因子相乘后，再求和的形式。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的溝槽的形成方法，其特征在于，所述刻蝕氣體為CHF₃。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的溝槽的形成方法，其特征在于，所述層間介質(zhì)層包括低溫氧化物層和位于低溫氧化物層上的黑鉆石層。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的溝槽的形成方法，其特征在于，所述晶片上的層間介質(zhì)層的厚度從中央?yún)^(qū)域向邊緣區(qū)域遞減。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的溝槽的形成方法，其特征在于，所述晶片上的層間介質(zhì)層的厚度從中央?yún)^(qū)域向邊緣區(qū)域遞增。