[發明專利]采用一控片測試光刻薄膜不同烘焙條件的裝置及方法

有效

• 申請號: 200910195859.1
• 申請日: 2009-09-17
• 公開（公告）號: CN102023499A
• 公開（公告）日: 2011-04-20
• 發明（設計）人: 安輝
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司
• 主分類號: G03F7/38
• 分類號: G03F7/38;H01L21/66
• 代理公司: 北京德琦知識產權代理有限公司 11018
• 代理人: 牛崢;王麗琴

1.一種采用一控片測試光刻薄膜不同烘焙條件的加熱板，包括：加熱板以及在加熱板的邊緣區域具有至少一個可升降的突起物，控片放置在該突起物和加熱板的表面構成的平面上。

2.如權利要求1所述的加熱板，其特征在于，所述可升降的突起物的升降高度為0～10毫米，放置的控片與加熱板之間存在的角度為0～2度。

3.如權利要求1或2所述的加熱板，其特征在于，所述可升降的突起物沿著圓周方向或/和徑向方向上排列，其中，

在徑向方向上，相鄰兩個突起物之間的高度差與該相鄰兩個突起物之間的距離等于tg(放置的控片與加熱板之間存在的角度)；

在圓周方向上，相鄰兩個突起物之間的高度差與該相鄰兩個突起物之間在徑向上的距離等于tg(放置的控片與加熱板之間存在的角度)。

4.如權利要求3所述的加熱板，其特征在于，所述沿著圓周方向排列的所述可升降的突起物成等角度分布；

所述沿著徑向方向排列的所述可升降的突起物成等間隔分布。

5.一種采用一控片測試光刻薄膜不同烘焙條件的反應腔，該反應腔的底部為加熱器，用于對上方的加熱板加熱；在加熱器的上方設置有加熱板；該反應腔的外壁下半部對稱設置有兩個進氣口，用于通入反應氣體；該反應腔的外壁上半部設置有一個出氣口，用于將通入的反應氣體排除該反應腔，其特征在于，

在該加熱板的邊緣區域具有至少一個可升降的突起物，控片放置在該突起物和加熱板的表面構成的平面上。

6.如權利要求5所述的反應腔，其特征在于，還包括有控制器，用于控制加熱板上的突起物的可調節升降。

7.一種采用一控片測試光刻薄膜不同烘焙條件的方法，將具有光刻薄膜的控片放置在加熱板上，具有光刻薄膜的控片和加熱板之間存在傾斜角度，采用設置的烘焙條件對加熱板進行加熱，測試在加熱板上的涂覆有光刻薄膜的控片不同區域的烘焙條件，得到涂覆有光刻薄膜的控片不同區域和烘焙條件之間的對應關系，該方法還包括：

對一控片涂覆光刻薄膜，置入所述加熱板上，和所述加熱板之間存在傾斜角度；

采用設置的烘焙條件對加熱板進行加熱，對所述控片進行烘焙過程；

對所述進行烘焙過程后的控片進行測量，測量得到控片各個區域當前的特征尺寸、剖面結構或/和特征尺寸均勻性后，選取最優特征尺寸、剖面結構或/和特征尺寸均勻性的區域，根據對應關系確定該區域對應的烘焙條件，將該烘焙條件作為批量生產晶圓時進行對應烘焙過程所使用的烘焙條件。

8.如權利要求7所述的方法，其特征在于，所述光刻薄膜為：底層、底部抗反射層、光刻膠層、頂部抗反射層和頂層中的一種或多種組合。

9.如權利要求7所述的方法，其特征在于，所述傾斜角度為0～2度。

10.如權利要求7所述的方法，其特征在于，所述選取最優特征尺寸、剖面結構或/和特征尺寸均勻性的區域的過程為：

將測量得到控片各個區域當前的特征尺寸、剖面結構或/和特征尺寸均勻性分別與設定的標準特征尺寸、剖面結構或/和特征尺寸均勻性比較，找到其中區別最小的特征尺寸、剖面結構或/和特征尺寸均勻性的區域，作為所選取的最優特征尺寸或/和特征尺寸均勻性的區域。