[發明專利]采用納米壓印技術的Ⅲ族氮化物半導體發光裝置

無效

• 申請號: 200910194801.5
• 申請日: 2009-08-28
• 公開（公告）號: CN102005514A
• 公開（公告）日: 2011-04-06
• 發明（設計）人: 胡建正;武樂可;李忠武;郭茂峰
• 申請（專利權）人: 上海藍寶光電材料有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;H01S5/323
• 代理公司: 上海市華誠律師事務所 31210
• 代理人: 徐申民

1.一種III族氮化物半導體發光裝置，其包括：

基板；

緩沖層，其位于所述基板上；

n型接觸層，其位于所述緩沖層上，由n型III族氮化物半導體構成；

活性層，其位于所述n型接觸層上并覆蓋所述n型接觸層的部分表面，由所述n型III族氮化物半導體的阱層和壘層交互層疊形成的多量子阱所構成；

n型電極層，其位于所述n型接觸層未被所述活性層覆蓋的上表面上；

電子阻擋層，其位于所述活性層上；

p型接觸層，其位于所述電子阻擋層上，由p型III族氮化物半導體構成；

p型電極層，其位于所述p型接觸層上；其特征在于，

所述III族氮化物半導體發光裝置還包括采用納米壓印技術制作的絕緣膜圖形陣列，構成所述絕緣膜圖形陣列的絕緣膜材質為二氧化硅、氮化硅、或其他不能為III族氮化物半導體生長提供晶核的絕緣材質，其中

所述n型接觸層分為第一n型接觸層部分和第二n型接觸層部分，所述絕緣膜圖形陣列位于所述第一n型接觸層部分與所述第二n型接觸層部分之間。

2.一種III族氮化物半導體發光裝置，其包括：

基板；

緩沖層，其位于所述基板上，由III族氮化物半導體構成；

n型接觸層，其位于所述緩沖層上，由n型III族氮化物半導體構成；

活性層，其位于所述n型接觸層上并覆蓋所述n型接觸層的部分表面，由所述n型III族氮化物半導體的阱層和壘層交互層疊形成的多量子阱所構成；

n型電極層，其位于所述n型接觸層未被所述活性層覆蓋的上表面上；

電子阻擋層，其位于所述活性層上；

p型接觸層，其位于所述電子阻擋層上，由p型III族氮化物半導體構成；

p型電極層，其位于所述p型接觸層上；其特征在于，

所述III族氮化物半導體發光裝置還包括采用納米壓印技術制作的絕緣膜圖形陣列，構成所述絕緣膜圖形陣列的絕緣膜材質為二氧化硅、氮化硅、或其他不能為III族氮化物半導體生長提供晶核的絕緣材質，其中

所述絕緣膜圖形陣列位于所述基板與所述緩沖層之間。

3.一種III族氮化物半導體發光裝置，其包括：

基板；

緩沖層，其位于所述基板上；

p型接觸層，其位于所述緩沖層上，由p型III族氮化物半導體構成；

活性層，其位于所述p型接觸層上并覆蓋所述p型接觸層的部分表面，由所述p型III族氮化物半導體的阱層和壘層交互層疊形成的多量子阱所構成；

p型電極層，其位于所述p型接觸層未被所述活性層覆蓋的上表面上；

電子阻擋層，其位于所述活性層上；

n型接觸層，其位于所述電子阻擋層上，由n型III族氮化物半導體構成；

n型電極層，其位于所述n型接觸層上；其特征在于，

所述III族氮化物半導體發光裝置還包括采用納米壓印技術制作的絕緣膜圖形陣列，構成所述絕緣膜圖形陣列的絕緣膜材質為二氧化硅、氮化硅、或其他不能為III族氮化物半導體生長提供晶核的絕緣材質，其中

所述p型接觸層分為第一p型接觸層部分和第二p型接觸層部分，所述絕緣膜圖形陣列位于所述第一p型接觸層部分與所述第二p型接觸層部分之間。

4.一種III族氮化物半導體發光裝置，其包括：

基板；

緩沖層，其位于所述基板上，由III族氮化物半導體構成；

p型接觸層，其位于所述緩沖層上，由p型III族氮化物半導體構成；

活性層，其位于所述p型接觸層上并覆蓋所述p型接觸層的部分表面，由所述p型III族氮化物半導體的阱層和壘層交互層疊形成的多量子阱所構成；

p型電極層，其位于所述p型接觸層未被所述活性層覆蓋的上表面上；

電子阻擋層，其位于所述活性層上；

n型接觸層，其位于所述電子阻擋層上，由n型III族氮化物半導體構成；

n型電極層，其位于所述n型接觸層上；其特征在于，

所述III族氮化物半導體發光裝置還包括采用納米壓印技術制作的絕緣膜圖形陣列，構成所述絕緣膜圖形陣列的絕緣膜材質為二氧化硅、氮化硅、或其他不能為III族氮化物半導體生長提供晶核的絕緣材質，其中

所述絕緣膜圖形陣列位于所述基板與所述緩沖層之間。