[發明專利]制作存儲器的字線方法有效
| 申請號： | 200910194567.6 | 申請日： | 2009-08-25 |
| 公開（公告）號： | CN101996938A | 公開（公告）日： | 2011-03-30 |
| 發明（設計）人： | 李志國;蒙飛 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/768 | 分類號： | H01L21/768;H01L21/316 |
| 代理公司： | 北京德琦知識產權代理有限公司 11018 | 代理人： | 牛崢;王麗琴 |
| 地址： | 201203 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 制作 存儲器 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種制作存儲器的字線方法，該方法包括：
在晶圓襯底依次沉積氧氮氧層、多晶硅層、和作為硬掩膜層的氮化硅層及氧化硅層；
在所述氧化硅層上旋涂光刻膠層后光刻，在光刻膠層形成字線圖形；
以具有字線圖形的光刻膠層為掩膜，依次刻蝕氧化硅層、氮化硅層及多晶硅層，直到在多晶硅層形成字線，光刻膠層和氧化硅層被刻蝕完；
去除多晶硅層上刻蝕剩余的氮化硅層。
2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述硬掩膜層的氮化硅層的厚度及氧化硅層的厚度滿足2(Tox+TSiN)＜＝2500，0＜＝1700-1/2[2500-2(Tox+TSiN)]-3Tox＜＝2(TSiN-100)要求，其中，Tox為氧化硅層的厚度，TSiN為氮化硅層的厚度。
3.如權利要求2所述的方法，其特征在于，在所述多晶硅層的厚度為1700埃時，所述沉積的氮化硅層為300埃，沉積的氧化硅層為200?！?00埃。
4.如權利要求1、2或3所述的方法，其特征在于，所述氧化硅層采用低壓化學氣相淀積LP-CVD通過正硅酸乙脂TEOS-臭氧的方法沉積得到。
5.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述去除多晶硅層上刻蝕剩余的氮化硅層采用熱磷酸H3PO4。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
