[發(fā)明專利]電感器及其形成方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200910194450.8
• 申請日: 2009-08-17
• 公開（公告）號: CN101996861A
• 公開（公告）日: 2011-03-30
• 發(fā)明（設計）人: 孔蔚然
• 申請（專利權）人: 上海宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L23/528
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 李麗

1.一種電感器的形成方法，其特征在于，包括：

在半導體襯底上依次間隔形成至少一層金屬絕緣層和至少一層介質層；

在金屬絕緣層內形成貫穿金屬絕緣層的電感線圈；

在介質層內形成貫穿介質層且與電感線圈對應連接的連續(xù)溝槽，所述連續(xù)溝槽成螺旋狀；

在連續(xù)溝槽內填充滿導電物質，形成連續(xù)溝槽線圈。

2.根據(jù)權利要求1所述電感器的形成方法，其特征在于，所述連續(xù)溝槽線圈的形狀與電感線圈一致。

3.根據(jù)權利要求2所述電感器的形成方法，其特征在于，所述連續(xù)溝槽線圈和電感線圈的線寬為50nm～5μm，線圈間距為50nm～5μm。

4.根據(jù)權利要求2所述電感器的形成方法，其特征在于，所述電感器線圈為螺旋結構。

5.根據(jù)權利要求4所述電感器的形成方法，其特征在于，所述電感器線圈是正方形、六邊形、八邊形或圓形。

6.根據(jù)權利要求1所述電感器的形成方法，其特征在于，所述金屬絕緣層的材料為硅的氧化物、硅的氮化物、硅的氮氧化物或上述三種材料中摻雜碳、氟、硼、磷，厚度為100nm～5μm。

7.根據(jù)權利要求1所述電感器的形成方法，其特征在于，所述介質層的材料為硅的氧化物、硅的氮化物、硅的氮氧化物或上述三種材料中摻雜碳、氟、硼、磷，厚度為100nm～5μm。

8.根據(jù)權利要求1所述電感器的形成方法，其特征在于，所述電感線圈的材料為鋁或銅。

9.根據(jù)權利要求1所述電感器的形成方法，其特征在于，所述填充至連續(xù)溝槽內的導電物質為鎢或銅。

10.一種電感器，包括：半導體襯底；位于半導體襯底上的間隔形成的至少一層金屬絕緣層和至少一層介質層；位于金屬絕緣層內且貫穿金屬絕緣層的電感線圈；貫穿介質層且與電感線圈對應連接的連續(xù)溝槽線圈，所述連續(xù)溝槽線圈成螺旋狀。

11.根據(jù)權利要求10所述電感器，其特征在于，所述連續(xù)溝槽線圈的形狀與電感線圈一致。

12.根據(jù)權利要求11所述電感器，其特征在于，所述連續(xù)溝槽線圈和電感線圈的線寬為50nm～5μm，線圈間距為50nm～5μm。

13.根據(jù)權利要求10所述電感器，其特征在于，所述電感器線圈為螺旋結構。

14.根據(jù)權利要求13所述電感器，其特征在于，所述電感器線圈是正方形、六邊形、八邊形或圓形。

15.根據(jù)權利要求10所述電感器，其特征在于，所述金屬絕緣層的材料為硅的氧化物、硅的氮化物、硅的氮氧化物或上述三種材料中摻雜碳、氟、硼、磷，厚度為100nm～5μm。

16.根據(jù)權利要求10所述電感器，其特征在于，所述介質層的材料為硅的氧化物、硅的氮化物、硅的氮氧化物或上述三種材料中摻雜碳、氟、硼、磷，厚度為100nm～5μm。

17.根據(jù)權利要求10所述電感器，其特征在于，所述電感線圈的材料為鋁或銅。

18.根據(jù)權利要求10所述電感器，其特征在于，所述連續(xù)溝槽線圈的材料為鎢或銅。