[發明專利]NLDMOS器件及其制造方法

有效

• 申請號: 200910188704.5
• 申請日: 2009-12-03
• 公開（公告）號: CN102088031A
• 公開（公告）日: 2011-06-08
• 發明（設計）人: 吳孝嘉;羅澤煌;韓廣濤
• 申請（專利權）人: 無錫華潤上華半導體有限公司;無錫華潤上華科技有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L21/336
• 代理公司: 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 何平

1.一種NLDMOS器件，包括浮置-P型結構，第一場氧區，第二場氧區，N型漂移區，第一場氧區和第二場氧區位于N型漂移區之上相對設置，其特征在于：所述浮置-P型結構位于N型漂移區的中部沿著N型漂移區的溝道方向，所述的第一場氧區和第二場氧區之間的有源區的寬度不小于浮置-P型結構的長度，浮置-P型在N型漂移區的中部。

2.如權利要求1所述的NLDMOS器件，其特征在于：所述浮置-P型結構的數量不少于兩個。

3.如權利要求1所述的NLDMOS器件，其特征在于：所述浮置-P型結構在版圖上為條狀，橫截面為長方形。

4.如權利要求1所述的NLDMOS器件，其特征在于：所述浮置-P型結構的橫截面為圓形。

5.如權利要求1所述的NLDMOS器件，其特征在于：所述第一場氧區和所述第二場氧區長度不一樣。

6.一種NLDMOS器件制造方法，所述NLDMOS器件包括浮置-P型結構，第一場氧區，第二場氧區，N型漂移區，第一場氧區和第二場氧區位于N型漂移區之上相對設置，其特征在于：

步驟一：采用常規的外延生產工藝在埋氧層上形成外延層；

步驟二：采用常規的MOS工藝的進行阱注入，形成所述的N型漂移區；

步驟三：通過生長形成所述第一場氧區和所述第二場氧區，所述第一場氧區和第二場氧區之間就是有源區，該有源區尺寸配合將要注入的浮置-P型結構的長度；

步驟四：注入源柵和漏區；

步驟五：透過所述第一場氧區和所述第二場氧區之間的有源區將浮置-P型結構植入所述N型漂移區的中部。

7.如權利要求6所述的NLDMOS器件制造方法，其特征在于：所述浮置-P型結構的注入能量為200Kev～2000Kev。