[發(fā)明專(zhuān)利]一種半導(dǎo)體制造工藝中疊加電容的結(jié)構(gòu)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200910184417.7
• 申請(qǐng)日: 2009-08-06
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN101621081A
• 公開(kāi)（公告）日: 2010-01-06
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 朱偉民;張煒;聶衛(wèi)東;郭斌
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 無(wú)錫市晶源微電子有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L29/92
• 分類(lèi)號(hào): H01L29/92;H01L21/02
• 代理公司: 南京經(jīng)緯專(zhuān)利商標(biāo)代理有限公司
• 代理人: 葉連生

1.一種半導(dǎo)體制造工藝中疊加電容的結(jié)構(gòu)，其特征在于：在P襯底片(1)上表面的電容區(qū)域(2)是一個(gè)N阱，N阱從硅片表面向下擴(kuò)散2～4um深，構(gòu)成電容的下極板；在電容區(qū)域的硅表面也就是下極板N阱表面是一個(gè)大有源區(qū)(6)、一個(gè)小有源區(qū)(5)：小有源區(qū)(5)有N+注入擴(kuò)散區(qū)——以通過(guò)接觸孔和金屬布線(xiàn)形成下歐姆接觸，做為下極板的引出端；大有源區(qū)(6)做為疊加電容中多晶硅1/阱電容的有效區(qū)域；有源區(qū)之外就是場(chǎng)區(qū)(7)，場(chǎng)區(qū)上面是厚的氧化物，做為有源區(qū)之間的隔離；有源區(qū)的硅表面是一層厚的氧化物，在電容區(qū)域中大有源區(qū)(6)表面的氧化物就構(gòu)成了多晶硅1/阱電容的介質(zhì)層(8)；在多晶硅1/阱電容的有效區(qū)域表面薄的氧化物的上面是一層的多晶硅，多晶硅的面積比多晶硅1/阱電容的有效區(qū)域面積稍大一點(diǎn)，延伸到了大有源區(qū)旁的場(chǎng)區(qū)上，這層多晶硅就構(gòu)成了電容的中間極板(9)；小有源區(qū)上面沒(méi)有多晶硅，場(chǎng)區(qū)上除了緊挨著多晶硅1/阱電容的有效區(qū)域有源區(qū)的邊緣有延伸上來(lái)的多晶硅，其余區(qū)域也沒(méi)有多晶硅；在多晶硅的上表面是一層的ONO介質(zhì)(10)，這層介質(zhì)構(gòu)成了疊加電容中多晶硅2/多晶硅1?ONO電容的介質(zhì)層(10)；在ONO介質(zhì)的上面是第二層多晶硅，構(gòu)成了電容的上極板(11)，這層多晶硅的面積比多晶硅1/阱電容的有效區(qū)域有源區(qū)的面積要小一些，其他區(qū)域沒(méi)有第二層多晶硅；在第二層多晶硅上面是覆蓋整個(gè)圓片表面的氧化物，稱(chēng)之為氧化物層(12)，多晶硅正上方的氧化物最薄，下極板引出端N+擴(kuò)散區(qū)正上方的氧化物最厚；多層氧化物在下極板引出端N+擴(kuò)散區(qū)、多晶硅1的引出處、多晶硅2的引出處的相應(yīng)位置會(huì)被去處，構(gòu)成直達(dá)N+或多晶硅表面的接觸孔；在多層氧化物的正上方就是第一層金屬布線(xiàn)(13)，在接觸孔的位置，金屬布線(xiàn)和N+或多晶硅表面的接觸，將電容的兩端分別引出，形成一個(gè)完整的疊加電容結(jié)構(gòu)。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體制造工藝中疊加電容的結(jié)構(gòu)，其特征在于所述的下極板N阱，根據(jù)對(duì)電容特性不同的要求，下極板N阱中加上一個(gè)高摻雜的Nsinker擴(kuò)散區(qū)(3)，以改變電容的C-V特性。

3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體制造工藝中疊加電容的結(jié)構(gòu)，其特征在于所述的下極板N阱，根據(jù)不同的制造工藝，該電容結(jié)構(gòu)中的下極板N阱換成是P阱或P阱加深硼注入，相應(yīng)的阱接觸由N+變?yōu)镻+擴(kuò)散區(qū)。