[發明專利]半導體裝置

有效

• 申請號: 200910179066.0
• 申請日: 2004-12-15
• 公開（公告）號: CN101673717A
• 公開（公告）日: 2010-03-17
• 發明（設計）人: 伊東春樹
• 申請（專利權）人: 精工愛普生株式會社
• 主分類號: H01L23/48
• 分類號: H01L23/48;H01L23/485;H01L23/31;H01L21/60
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司
• 代理人: 李香蘭

本申請是基于申請號為200410104968.5、發明名稱為“半導體裝置及其制造方法、電路基板以及電子設備”、申請日為2004年12月15日的專利申請的分案申請。?

技術領域

本發明涉及半導體裝置及其制造方法、電路基板以及電子設備，尤其涉及能形成多個外部端子的半導體裝置及其制造方法、搭載該半導體裝置的電路基板以及具備該半導體裝置的電子設備。?

背景技術

要以高密度安裝半導體裝置，最好不對半導體芯片進行封裝而以原狀態進行裸片式安裝。但是，在裸片式安裝中，由于對半導體芯片的保護不充分，因此很難對其進行操作。所以，人們提出了使用CSP(Chip?SizePackage)的半導體裝置，特別是近年來，開發出了從晶片劃片(切斷)后直接以該狀態作為半導體裝置的晶片級CSP。在該晶片級CSP中，在形成有微小的晶體管等的硅晶片的表面形成樹脂層或者配線，并通過切斷成一個一個的半導體裝置，從而制造半導體裝置。?

以往的適用晶片級CSP的半導體裝置的制造方法中，在硅晶片的表面形成樹脂層時，不在劃片的部分形成樹脂層，從而防止半導體裝置端部出現缺口以及樹脂層剝落(例如，參照專利文獻1)。?

[專利文獻]國際公開第01/071805號單行本(圖1、圖14)?

但是，以往的適用晶片級CSP的半導體裝置的制造方法中(例如，參照專利文獻1)，在半導體元件的中心附近形成有樹脂層和外部端子，且從形成于半導體元件的外周部的電極延伸電極而連接到該外部端子。此時，由于僅在樹脂層的表面形成配線，因此能夠形成配線以及外部端子的部分的面積很小，很難形成多個外部端子，且很難實現配線以及外部端子的高密度化，而這些成為了問題點。

發明內容

本發明鑒于以上的事實，其目的在于提供一種能夠高密度地形成配線以及外部端子的半導體裝置及其制造方法，搭載該半導體裝置的電路基板以及具備該半導體裝置的電子設備。?

本發明的半導體裝置，在具備多個電極的半導體元件上，形成有樹脂層、與所述電極電連接的多個配線、以及與該配線電連接的多個外部端子，其特征是：在多個所述配線中，第一配線形成于所述樹脂層或者疊層了的多個所述樹脂層的第一表面；所述多個配線中的第二配線形成于所述樹脂層或者疊層了的多個所述樹脂層的與所述第一表面相反側的面即第二表面；所述第一配線與第二配線立體交叉。?

本發明的半導體裝置，在具備多個電極的半導體元件上，形成有多個樹脂層、與電極進行電連接的多個配線、以及電連接到該配線的多個外部端子，其特征是：在多個配線中，其一部分的第一配線形成于一個樹脂層或者疊層了的多個樹脂層的底面；且在多個配線中，除該一部分之外的第二配線形成于一個樹脂層或者疊層了的多個樹脂層的表面；所述第一配線與第二配線以立體交叉的方式形成。?

在多個配線中，其一部分的第一配線形成于一個樹脂層或者疊層了的多個樹脂層的底面，且除了這一部分的第二配線形成于一個樹脂層或者疊層了的多個樹脂層的表面，因此，擴寬了能夠形成配線的面積，從而可以形成多個配線以及外部端子。另外，由于能夠以立體式交叉形狀形成，因此能夠以高密度形成外部端子。?

另外關于本發明的半導體裝置，在所述的多個電極之中，在未與第一配線連接的電極的表面上，形成有與第一配線相同材料的金屬膜。?

通過在未與第一配線連接的電極的表面上，形成有與第一配線相同材料的金屬膜，可以防止這些電極的氧化和腐蝕。?

另外關于本發明的半導體裝置，所述的第一配線，連接到多個外部端子中的至少位于半導體元件的最外周部側的外部端子。?

半導體元件的外周部附近，由熱應力等而受到很大的應力。因此，通過使比較難斷線的第一配線連接到多個外部端子中的至少位于半導體元件的最外周部側的外部端子，可以防止斷線。?

另外關于本發明的半導體裝置，所述的半導體裝置采用的封裝方式是芯片尺寸封裝方式。?

在所述的半導體裝置采用芯片尺寸封裝方式(CSP)的情況下，形成所述結構的配線，則可以實現配線以及外部端子的高密度化。?

另外關于本發明的半導體裝置，所述外部端子是由軟釬球構成。?

芯片尺寸封裝的半導體裝置，作為外部端子多使用軟釬球。根據所述的結構的配線，可以高密度地形成由該軟釬球構成的外部端子。?

另外關于本發明的半導體裝置，在所述的一個樹脂層或者疊層了的多個樹脂層中形成有通孔。?