[發(fā)明專利]用于生長(zhǎng)纖鋅礦型晶體的襯底、其制造方法和半導(dǎo)體器件有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200910179050.X | 申請(qǐng)日： | 2009-10-09 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN101719483A | 公開(kāi)（公告）日： | 2010-06-02 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 板垣奈穗;巖崎達(dá)哉;星野勝之 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 佳能株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào)： | H01L23/00 | 分類號(hào)： | H01L23/00;H01L21/203;H01L29/72;H01L29/861;H01L33/00;H01L31/0264 |
| 代理公司： | 中國(guó)國(guó)際貿(mào)易促進(jìn)委員會(huì)專利商標(biāo)事務(wù)所 11038 | 代理人： | 劉倜 |
| 地址： | 日本*** | 國(guó)省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 用于 生長(zhǎng) 鋅礦 晶體 襯底 制造 方法 半導(dǎo)體器件 | ||
1.一種用于生長(zhǎng)纖鋅礦型晶體的襯底，所述襯底包括層疊結(jié)構(gòu)， 該層疊結(jié)構(gòu)的第一層包括具有六重對(duì)稱性的晶體，以及該層疊結(jié)構(gòu)的 第二層包括在所述第一層上形成的金屬氧氮化物晶體，
其中所述第二層包括選自由In、Ga、Si、Ge和Al構(gòu)成的組中 的至少一種元素、N、O和Zn，所述選自由In、Ga、Si、Ge和Al 構(gòu)成的組中的至少一種元素、N、O和Zn之中的每一個(gè)相對(duì)于所述 第二層中的總原子數(shù)至少為5原子％；以及
其中所述第二層具有面內(nèi)取向。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的用于生長(zhǎng)纖鋅礦型晶體的襯底，其中所述第 一層是纖鋅礦型晶體或Al2O3晶體。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的用于生長(zhǎng)纖鋅礦型晶體的襯底，其中所述第 二層是纖鋅礦型晶體。
4.根據(jù)權(quán)利要求1的用于生長(zhǎng)纖鋅礦型晶體的襯底，其中所述第 二層的a-軸晶格常數(shù)在0.320nm至0.358nm的范圍內(nèi)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1的用于生長(zhǎng)纖鋅礦型晶體的襯底，其中所述第 二層的(002)面的X射線搖擺曲線的FWHM是1度或更低。
6.根據(jù)權(quán)利要求1的用于生長(zhǎng)纖鋅礦型晶體的襯底，其中所述第 一層包括選自由GaN和ZnO構(gòu)成的組中的纖鋅礦型晶體，以及其中 所述第二層包括Zn(x)In(1-x)O(y)N(1-y)，其中0.1≤x≤0.9且0.1≤y ≤0.9。
7.根據(jù)權(quán)利要求1的用于生長(zhǎng)纖鋅礦型晶體的襯底，其中所述第 一層包括選自由GaN和ZnO構(gòu)成的組中的纖鋅礦型晶體，以及其中 所述第二層包括Zn(x)Ga(1-x)O(y)N(1-y)，其中0.1≤x≤0.9且0.1≤y ≤0.9。
8.根據(jù)權(quán)利要求1的用于生長(zhǎng)纖鋅礦型晶體的襯底，其中所述第 一層包括Al2O3晶體，以及其中所述第二層包括Zn(x)In(1-x)O(y)N(1-y)， 其中0.1≤x≤0.9且0.1≤y≤0.9。
9.根據(jù)權(quán)利要求1的用于生長(zhǎng)纖鋅礦型晶體的襯底，其中所述第 一層包括Al2O3晶體，以及其中所述第二層包括Zn(x)Ga(1-x)O(y)N(1-y)， 其中0.1≤x≤0.9且0.1≤y≤0.9。
10.一種半導(dǎo)體器件，其使用根據(jù)權(quán)利要求1的用于生長(zhǎng)纖鋅礦 型晶體的襯底作為襯底。
11.一種用于制造用于生長(zhǎng)纖鋅礦型晶體的襯底的方法，該襯底 包括層疊結(jié)構(gòu)，該方法包括以下步驟：在包含氮的氣氛中，在包括具 有六重對(duì)稱性的晶體的第一層上形成包括具有面內(nèi)取向的金屬氧氮 化物晶體的第二層，
其中所述第二層包括選自由In、Ga、Si、Ge和Al構(gòu)成的組中 的至少一種元素、N、O和Zn，所述選自由In、Ga、Si、Ge和Al 構(gòu)成的組中的至少一種元素、N、O和Zn之中的每一個(gè)相對(duì)于所述 第二層中的總原子數(shù)至少為5原子％。
12.根據(jù)權(quán)利要求11的用于制造用于生長(zhǎng)纖鋅礦型晶體的襯底的 方法，其中通過(guò)濺射形成所述第二層。
13.根據(jù)權(quán)利要求11的用于制造用于生長(zhǎng)纖鋅礦型晶體的襯底的 方法，其中所述第二層的膜淀積速率是10nm/min或更低。
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