[發明專利]微結構制造方法有效
| 申請號： | 200910174511.4 | 申請日： | 2009-09-28 |
| 公開（公告）號： | CN102030303A | 公開（公告）日： | 2011-04-27 |
| 發明（設計）人： | 陳曉翔;葉力墾;劉政諺 | 申請（專利權）人： | 微智半導體股份有限公司 |
| 主分類號： | B81C1/00 | 分類號： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006 | 代理人： | 陳紅 |
| 地址： | 中國臺灣新竹市光復*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 微結構 制造 方法 | ||
1.一種微結構制造方法，應用于半導體制程，其特征在于，該微結構制造方法包括：
形成內含有一微結構、多個金屬電路與一金屬連接層的一絕緣層于一硅基底上，其中該微結構與該些金屬電路平行并排于該絕緣層內，該金屬連接層與該些金屬電路電性連接，且該金屬連接層外露于該絕緣層表面；
沉積一保護層于該金屬連接層與該絕緣層表面；以及
蝕刻懸浮該微結構。
2.根據權利要求1所述的微結構制造方法，其特征在于，該保護層的材質為一鈍化材質或一氧化材質。
3.根據權利要求1所述的微結構制造方法，其特征在于，沉積該保護層的方法為等離子輔助化學氣相沉積、常壓化學氣相沉積或低壓化學氣相沉積。
4.根據權利要求1所述的微結構制造方法，其特征在于，還包含：
在形成該絕緣層的同時，在該微結構周側形成一金屬堆疊；
在沉積該保護層后，蝕刻移除相對應位于該金屬堆疊與該微結構上的該保護層；
蝕刻去除該金屬堆疊，以形成貫通該絕緣層的一蝕刻空間；
由該蝕刻空間蝕刻該硅基底，使該蝕刻空間延伸至該硅基底；
在該保護層上設置一保護蓋；以及
由該硅基底底面蝕刻該硅基底，以使該蝕刻空間貫穿該硅基底令該微結構懸浮。
5.根據權利要求4所述的微結構制造方法，其特征在于，保護蓋為一玻璃蓋或一硅晶片。
6.根據權利要求4所述的微結構制造方法，其特征在于，該保護蓋表面具有一環氧化物。
7.根據權利要求4所述的微結構制造方法，其特征在于，還包含：
移除相對應位于該金屬連接層上的該保護蓋；
蝕刻去除位于該金屬連接層上的保護層，以使該金屬連接層外露于該絕緣層表面；以及
利用打線電性連接該金屬連接層與一外部導體。
8.根據權利要求7所述的微結構制造方法，其特征在于，保護蓋為一玻璃蓋或一硅晶片。
9.根據權利要求7所述的微結構制造方法，其特征在于，該保護蓋表面具有一環氧化物。
10.根據權利要求1所述的微結構制造方法，其特征在于，還包含：
在形成該絕緣層的同時，在該微結構周側形成一金屬堆疊；
在沉積該保護層后，蝕刻移除相對應位于該金屬堆疊與該微結構上的該保護層；
蝕刻去除該金屬堆疊，以形成貫通該絕緣層的一蝕刻空間；以及
由該蝕刻空間蝕刻該硅基底，以使該微結構懸浮。
11.根據權利要求10所述的微結構制造方法，其特征在于，還包含：
在該保護層上設置一保護蓋；
移除相對應位于該金屬連接層上的該保護蓋；
蝕刻去除位于該金屬連接層上的保護層，以使該金屬連接層外露于該絕緣層表面；以及
利用打線電性連接該金屬連接層與一外部導體。
12.根據權利要求11所述的微結構制造方法，其特征在于，保護蓋為一玻璃蓋或一硅晶片。
13.根據權利要求11所述的微結構制造方法，其特征在于，該保護蓋表面具有一環氧化物。
14.一種微結構制造方法，應用于半導體制程，其特征在于，該微結構制造方法包括：
形成內含有一微結構、多個金屬電路、多個金屬堆疊與一金屬連接層的一絕緣層于一硅基底上，其中該微結構與該些金屬電路平行并排于該絕緣層內，該些金屬堆疊位于該微結構的周側，該金屬連接層與該些金屬電路電性連接，且該金屬連接層外露于該絕緣層表面；
沉積一保護層于該金屬連接層與該絕緣層表面；
蝕刻移除相對應位于該金屬堆疊與該微結構上的該保護層；
蝕刻去除該金屬堆疊，以形成貫通該絕緣層的一蝕刻空間；
由該蝕刻空間蝕刻該硅基底，使該蝕刻空間延伸至該硅基底；
在該保護層上設置一保護蓋；
由該硅基底底面蝕刻該硅基底，以使該蝕刻空間貫穿該硅基底令該微結構懸浮；
移除相對應位于該金屬連接層上的該保護蓋；
蝕刻去除位于該金屬連接層上的保護層，以使該金屬連接層外露于該絕緣層表面；以及
利用打線電性連接該金屬連接層與一外部導體。
15.一種微結構制造方法，應用于半導體制程，其特征在于，該微結構制造方法包括：
形成內含有一微結構、多個金屬電路、多個金屬堆疊與一金屬連接層的一絕緣層于一硅基底上，其中該微結構與該些金屬電路平行并排于該絕緣層內，該些金屬堆疊位于該微結構的周側，該金屬連接層與該些金屬電路電性連接，且該金屬連接層外露于該絕緣層表面；
沉積一保護層于該金屬連接層與該絕緣層表面；
蝕刻移除相對應位于該金屬堆疊與該微結構上的該保護層；
蝕刻去除該金屬堆疊，以形成貫通該絕緣層的一蝕刻空間；
由該蝕刻空間蝕刻該硅基底，以使該微結構懸浮；
在該保護層上設置一保護蓋；
移除相對應位于該金屬連接層上的該保護蓋；
蝕刻去除位于該金屬連接層上的保護層，以使該金屬連接層外露于該絕緣層表面；以及
利用打線電性連接該金屬連接層與一外部導體。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于微智半導體股份有限公司，未經微智半導體股份有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/200910174511.4/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：氫化物沉積制備納米SnO2材料的方法
- 下一篇：一種道岔板模具圍板固定裝置
