[發明專利]主動元件陣列母基板及其制作方法

有效

• 申請號: 200910173885.4
• 申請日: 2009-09-18
• 公開（公告）號: CN101697052A
• 公開（公告）日: 2010-04-21
• 發明（設計）人: 曹佩婷;吳威憲;陳靜茹;林圣智;沈承勛
• 申請（專利權）人: 友達光電股份有限公司
• 主分類號: G02F1/1362
• 分類號: G02F1/1362;G02F1/1368;H01L21/82;H01L23/544;H01L23/60
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 梁揮;祁建國

技術領域

本發明涉及一種母基板及其制作方法，且特別是有關于一種可有效減少靜電放電(Electro-Static?Discharge，ESD)效應發生的主動元件陣列母基板及其制作方法。

背景技術

一般來說，液晶顯示面板主要是由主動元件陣列基板、液晶層以及彩色濾光基板所構成。在陣列制程(array?process)中通常會先在母基板上同時進行多個主動元件陣列的制作，并適時地在陣列制程中直接在母基板上同時制作一電連接于多個主動元件陣列的測試墊結構，其中測試墊結構例如是通過一連接線路與多個主動元件陣列電性連接。

完成上述的陣列制程后，會使用探針接觸測試墊結構，并對測試墊結構輸入測試信號，以進行主動元件陣列的測試制程(test?process)，借以檢測主動元件陣列中的主動元件是否能正常地運作。在完成測試制程后，會切割母基板以形成多個主動元件陣列基板。

然而，在上述的陣列制程中，常因測試墊結構的電極接墊面積過大，而容易在各制造工藝步驟中，例如反應性離子刻蝕法(Reactive?Ion?Etching，RIE)的離子環境過程中，累積大量的電荷于電極接墊上，如此一來，過量的電荷將因靜電放電效應(ESD?Effect)被導入主動元件陣列中，而使得主動元件陣列內的線路或元件受損。

發明內容

有鑒于此，本發明提供一種主動元件陣列母基板，其可在不影響電性測試準確性的前提下有效地減少靜電放電的發生，進而提高制造工藝成品率。

本發明另提供一種主動元件陣列母基板的制作方法，其可制作出上述的主動元件陣列母基板。

本發明提出一種主動元件陣列母基板，其包括一基板、多個主動元件陣列、一連接線路以及一測試墊結構?；寰哂卸鄠€預定區域以及一外圍區域。主動元件陣列分別配置于預定區域內。連接線路配置于基板上。測試墊結構配置于外圍區域并且經連接線路電連接到主動元件陣列。測試墊結構包括多個相互分離的第一金屬圖案、一第一介電層、至少一第二金屬圖案、一第二介電層以及一橋接圖案。第一金屬圖案中的一個第一主金屬圖案與連接線路相連。第一介電層覆蓋第一金屬圖案并且具有多個第一接觸窗，其中第一接觸窗分別暴露出每一第一金屬圖案的一部分。第二金屬圖案配置于第一介電層上并且暴露出第一接觸窗。第二介電層全面覆蓋基板，并配置于至少一第二金屬圖案上。第二介電層具有多個第二接觸窗，其中第二接觸窗分別暴露出至少一第二金屬圖案的一部分以及第一接觸窗。橋接圖案配置于第二介電層上，并且經第二接觸窗以及第一接觸窗向下連接到至少一第二金屬圖案以及第一金屬圖案。

在本發明的一實施例中，至少一第二金屬圖案的數量為多個并互相分離，而部分的第二接觸窗分別暴露出每一第二金屬圖案的一部分。

在本發明的一實施例中，第一金屬圖案與主動元件陣列中的多個柵極屬于同一膜層。

在本發明的一實施例中，第二金屬圖案與主動元件陣列中的多個源極與漏極屬于同一膜層。

在本發明的一實施例中，橋接圖案與主動元件陣列中的多個像素電極屬于同一膜層。

本發明另提出一種主動元件陣列母基板的制作方法，其包括下列步驟。首先，提供一基板，其中基板上具有多個預定區域以及一外圍區域。接著，形成一第一金屬層于基板上，其中第一金屬層包括位于每一預定區域內的一柵極、位于外圍區域內的一連接線路以及位于外圍區域內的多個相互分離的第一金屬圖案。然后，形成一第一介電層以覆蓋第一金屬層，其中第一介電層具有多個第一接觸窗，分別暴露出每一第一金屬圖案的一部分。接著，形成一半導體層于第一介電層上，其中半導體層包括位于每一柵極上方的一半導體圖案。而后，形成一第二金屬層于半導體層上，其中第二金屬層包括位于每一預定區域內且坐落于半導體圖案兩側的一源極與一漏極以及位于外圍區域內的第一金屬圖案上方的至少一第二金屬圖案，且至少一第二金屬圖案暴露出第一接觸?窗。接著，形成一第二介電層以全面覆蓋基板，其中第二介電層具有多個第二接觸窗以及多個第三接觸窗。第二接觸窗分別暴露出至少一第二金屬圖案的一部分以及第一接觸窗，而第三接觸窗分別暴露出源極與漏極的一部分。再來，形成一透明導電層于第二介電層，其中透明導電層包括一橋接圖案以及多個像素電極。橋接圖案經第二接觸窗以及第一接觸窗向下連接到至少一第二金屬圖案以及第一金屬圖案，而像素電極分別經第三接觸窗向下連接到所對應的源極與漏極。

在本發明的一實施例中，第二金屬層包括多個相互分離的第二金屬圖案，而部分的第二接觸窗分別暴露出每一第二金屬圖案的一部分。

在本發明的一實施例中，至少一第二金屬圖案具有一鋸齒狀的邊緣。