[發(fā)明專利]圖像傳感器及其制造方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200910173603.0 | 申請日： | 2009-09-08 |
| 公開（公告）號： | CN101674425A | 公開（公告）日： | 2010-03-17 |
| 發(fā)明（設計）人： | 洪志勛 | 申請（專利權）人： | 東部高科股份有限公司 |
| 主分類號： | H04N5/335 | 分類號： | H04N5/335;H01L27/146;H01L21/82 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產(chǎn)權代理有限公司 | 代理人： | 顧晉偉;王春偉 |
| 地址： | 韓國*** | 國省代碼： | 韓國;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 圖像傳感器 及其 制造 方法 | ||
1.一種圖像傳感器，包括：
在第一襯底上的讀出電路；
在所述第一襯底上的層間電介質；
在所述層間電介質中并電連接至所述讀出電路的互連；和
在所述互連上并通過所述互連電連接至所述讀出電路的圖像感測器 件，
其中所述互連包括：
下部阻擋金屬；和
在所述下部阻擋金屬之下形成的氮化物阻擋物。
2.根據(jù)權利要求1所述的圖像傳感器，其中所述互連還包括：
穿過所述氮化物阻擋物的接觸塞；
在所述下部阻擋金屬上的金屬層；和
在所述金屬層上的上部阻擋金屬。
3.根據(jù)權利要求2所述的圖像傳感器，其中所述下部阻擋金屬形成在所 述接觸塞和所述氮化物阻擋物上并與所述接觸塞和所述氮化物阻擋物接 觸。
4.根據(jù)權利要求1所述的圖像傳感器，還包括在所述第一襯底中并電連 接所述互連至所述讀出電路的電結區(qū)。
5.根據(jù)權利要求4所述的圖像傳感器，其中所述讀出電路在晶體管的源 極和漏極之間具有電位差，所述電結區(qū)位于所述晶體管的所述源極處。
6.一種制造圖像傳感器的方法，包括：
在第一襯底上形成讀出電路；
在所述第一襯底上形成層間電介質；
在所述層間電介質中形成電連接至所述讀出電路的互連；和
在所述互連上形成通過所述互連電連接至所述讀出電路的圖像感測器 件，
其中所述互連的形成包括：
形成下部阻擋金屬；和
在所述下部阻擋金屬之下形成氮化物阻擋物。
7.根據(jù)權利要求6所述的圖像傳感器，其中所述互連的形成還包括：
在形成所述下部阻擋金屬之前形成穿過所述氮化物阻擋物的接觸塞；
在所述下部阻擋金屬上形成金屬層；和
在所述金屬層上形成上部阻擋金屬。
8.根據(jù)權利要求6所述的方法，還包括在所述第一襯底中形成電結區(qū)， 其中所述電結區(qū)電連接所述互連至所述讀出電路。
9.根據(jù)權利要求8所述的方法，還包括在所述電結區(qū)和所述互連之間形 成第一導電型連接。
10.根據(jù)權利要求9所述的方法，其中所述第一導電型連接在所述電結區(qū) 的一側形成并電連接所述互連至所述電結區(qū)。
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