[發(fā)明專利]應(yīng)用硬化劑對(duì)應(yīng)變材料層的松弛

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200910172880.X
• 申請(qǐng)日: 2009-09-07
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN101714505A
• 公開(kāi)（公告）日: 2010-05-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 奧列格·科農(nóng)丘克
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 硅絕緣體技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/02
• 分類號(hào): H01L21/02;H01L21/20
• 代理公司: 北京三友知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127
• 代理人: 李輝

1.一種制造用于電子裝置的至少部分松弛的材料層（5，5a，5b） 的方法，所述方法包括以下步驟：

提供結(jié)構(gòu)（10），所述結(jié)構(gòu)（10）包括支承襯底（1）和應(yīng)變材料層 （3，3a，3b），回流層（2，2a，2b）位于所述支承襯底（1）上，所述 應(yīng)變材料層（3，3a，3b）位于所述回流層（2，2a，2b）與硬化劑層（4， 4a，4b）之間，

施加熱處理，所述熱處理使所述回流層（2，2a，2b）到達(dá)等于或大 于所述回流層（2，2a，2b）的玻璃轉(zhuǎn)化溫度的溫度，

其特征在于，所述方法包括在施加所述熱處理期間，逐漸減小所述 硬化劑層（4，4a，4b）的厚度，

所述方法還包括在施加所述熱處理之前，在所述應(yīng)變材料層（3）中 形成島（3a，3b），并且

在所述回流層（2）的至少一部分厚度中形成與所述島（3a，3b）對(duì) 齊的圖案（2a，2b）。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，對(duì)整個(gè)所述結(jié)構(gòu)（10） 施加所述熱處理，并且通過(guò)干法刻蝕，來(lái)執(zhí)行減小所述硬化劑層（4，4a， 4b）的厚度的步驟。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述干法刻蝕是氣相 化學(xué)反應(yīng)刻蝕。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述島（3a，3b）通 過(guò)刻蝕或者電磁輻射來(lái)形成。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述應(yīng)變材料層（3， 3a，3b）是通過(guò)以下連續(xù)步驟形成的：

a）在成核襯底（11）上淀積單晶或多晶的應(yīng)變材料層（3，3a，3b），

b）通過(guò)所述回流層（2，2a，2b）組合所述應(yīng)變材料層（3，3a，3b） 和所述支承襯底（1），

c）形成所述硬化劑層（4，4a，4b）。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，對(duì)所述成核襯底（11） 執(zhí)行部分去除，以形成所述成核襯底（11）的剩余部分（14，14a，14b）， 并且所述硬化劑層（4，4a，4b）至少部分由所述成核襯底（11）的所述 剩余部分（14，14a，14b）形成。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，對(duì)所述成核襯底（11） 執(zhí)行完全去除，并且通過(guò)在所述應(yīng)變材料層（3，3a，3b）上進(jìn)行淀積來(lái) 形成所述硬化劑層（4，4a，4b）。

8.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的方法，其特征在于，所述成核襯底（11） 是通過(guò)分離處理去除的。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，減小所述硬化劑層（4， 4a，4b）的厚度，直到完全去除了所述硬化劑層（4，4a，4b）為止，并 且在完全去除了所述硬化劑層（4，4a，4b）之后，繼續(xù)施加所述熱處理。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述硬化劑層（4， 4a，4b）是多晶硅、鍺或III/N材料。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述應(yīng)變材料層（3， 3a，3b）是單晶III/N材料。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其特征在于，所述應(yīng)變材料層（3， 3a，3b）是InGaN。

13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述硬化劑層（4， 4a，4b）是GaN，所述應(yīng)變材料層（3，3a，3b）是InGaN，并且在包括 HCL的氣氛中執(zhí)行刻蝕所述硬化劑層（4，4a，4b）的步驟。

14.一種制造半導(dǎo)體器件的方法，所述方法包括提供至少部分松弛 的材料層（5，5a，5b），所述至少部分松弛的材料層（5，5a，5b）是通 過(guò)根據(jù)前述權(quán)利要求中的任何一項(xiàng)所述的方法來(lái)獲得的，其特征在于， 所述方法還包括在所述至少部分松弛的材料層（5，5a，5b）上形成至少 一個(gè)有源層（6，6a，6b）。

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其特征在于，所述有源層（6， 6a，6b）是激光部件、光伏部件或電致發(fā)光二極管的有源層。