[發明專利]具有抑制特性偏移的結構的薄膜晶體管面板及其制造方法

有效

• 申請號: 200910168653.X
• 申請日: 2006-10-20
• 公開（公告）號: CN101699624A
• 公開（公告）日: 2010-04-28
• 發明（設計）人: 石井裕滿
• 申請（專利權）人: 卡西歐計算機株式會社
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02;H01L29/786;H01L29/417;H01L21/82;G02F1/1362;G02F1/1368
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 黃劍鋒

1.一種薄膜晶體管面板，包括：

基板(1)；

薄膜晶體管(3)，形成在所述基板(1)上，具有柵電極(6)、柵絕緣膜(7)、半導體薄膜(8)、在所述半導體薄膜(8)上形成的一對歐姆接觸層(10、11)、以及在所述各歐姆接觸層(10、11)上形成的源電極(12)和漏電極(13)，所述半導體薄膜(8)在所述源電極(12)和所述漏電極(13)之間具有溝道區域；

像素電極(2)，與所述薄膜晶體管(3)的所述源電極(12)連接；以及

第一和第二導電性被覆膜(14、15)，設置在所述源電極(12)和所述漏電極(13)的上部，由與所述像素電極(2)相同的材料形成，

所述第一導電性被覆膜(14)被設置為寬度比所述源電極(12)的寬度寬，

所述第二導電性被覆膜(15)被設置為寬度比所述漏電極(13)的寬度寬，并且與所述漏電極(13)的上表面接觸，并且，從所述漏電極(13)延伸出來，以便跨過與所述漏電極(13)連接的漏極布線(5)的一部分。

2.根據權利要求1所述的薄膜晶體管面板，其特征在于，所述第二導電性被覆膜(15)設置成與所述漏電極(13)的上表面以及其寬度方向兩側的側面、所述歐姆接觸層(10)的寬度方向兩側的側面接觸。