[發明專利]一維納米結構的制造方法及其裝置

無效

• 申請號: 200910167281.9
• 申請日: 2009-09-02
• 公開（公告）號: CN101665914A
• 公開（公告）日: 2010-03-10
• 發明（設計）人: 伊藤大輔
• 申請（專利權）人: 索尼株式會社
• 主分類號: C23C14/28
• 分類號: C23C14/28;C23C14/08;B82B3/00;H01L49/00
• 代理公司: 北京信慧永光知識產權代理有限責任公司
• 代理人: 褚海英;武玉琴

1.一種一維納米結構的制造方法，該方法包括以下步驟：

面向基板布置含釩的靶；

在上述狀態下以激光照射所述靶；以及

在壓力條件下將靶升華物質沉積到所述基板上，從而使得由所述照射生成的等離子體基本上不會到達所述基板，所述等離子體包括所述靶升華物質和環境氣體。

2.如權利要求1所述的方法，其中，所述以激光照射的步驟在減壓和常壓之一的所述環境氣體下進行，所述環境氣體包括氧氣、氮氣、氬氣、氦氣以及氖氣中的單獨一種或者它們的混合物。

3.如權利要求2所述的方法，其中，所述環境氣體的壓強減少到10Pa～100Pa的范圍。

4.如權利要求3所述的方法，其中，所述環境氣體的所述壓強調整到50Pa以上。

5.如權利要求3所述的方法，其中，在450℃以下的升溫條件下形成所述一維納米結構。

6.如權利要求1所述的方法，其中，構成所述靶的材料是含釩材料，所述含釩材料包括釩單體金屬、二氧化釩、三氧化釩、四氧化釩以及五氧化釩中的至少一種。

7.如權利要求1所述的方法，其中，所述一維納米結構的基材是單斜晶型的二氧化釩以及金紅石型的二氧化釩之一。

8.如權利要求7所述的方法，其中，所述一維納米結構形成為納米線。

9.如權利要求7所述的方法，其中，所述二氧化釩包括如Ti、Mn、Cr與Zn等3d過渡金屬元素，如Er、Nb與Yb等稀土元素以及Ta或W元素之一，所述元素的質量濃度最高為50％。

10.如權利要求1所述的方法，其中，所述一維納米結構適合于利用至少一種下述變化來制造電子器件，所述至少一種變化包括：

由熱造成的電阻變化，

由電場造成的電阻變化，

由光造成的電阻變化，

由壓強與振動之一造成的電阻變化，

由熱造成的紅外線透射率與反射率之一的變化，

由電場造成的紅外線透射率與反射率之一的變化，

由光造成的紅外線透射率與反射率之一的變化，

由壓強與振動之一造成的紅外線透射率與反射率之一的變化，

由熱造成的可見光透射率與反射率之一的變化，

由電場造成的可見光透射率與反射率之一的變化，

由光造成的可見光透射率與反射率之一的變化，以及

由應力與振動之一造成的可見光透射率與反射率之一的變化。

11.如權利要求1所述的方法，其中，所述一維納米結構適合于制造以下元件之一：

溫度檢測感測元件，

光檢測感測元件，

場效應晶體管元件，

非易失性存儲元件，

光電轉換元件，

光開關元件，

熱線調制元件，

光調制元件，

開關電路元件，

光電晶體管元件，以及

光學存儲元件。

12.一種用于制造一維納米結構的裝置，該裝置包括：

基板支撐裝置，其用于支撐基板；

用于支撐含釩的靶的靶支撐裝置，其面對所述基板支撐裝置設置；

激光照射裝置，其用于以激光照射所述含釩的靶；以及

壓強控制裝置，其用于控制環境氣體的壓強以使等離子體基本上不會到達所述基板，生成的所述等離子體包括靶升華物質與所述環境氣體。

13.如權利要求12所述的裝置，其中，在減壓與常壓之一的所述環境氣體中以所述激光照射所述靶，所述環境氣體包括氧氣、氮氣、氬氣、氦氣以及氖氣中的單獨一種或者它們的混合物。

14.如權利要求13所述的裝置，其中，所述環境氣體的壓強減少到10Pa～100Pa的范圍。

15.如權利要求14所述的裝置，其中，所述環境氣體的所述壓強調整為50Pa以上。

16.如權利要求14所述的裝置，還包括：加熱單元，其用于在最多450℃的升溫條件下制造所述一維納米結構。

17.如權利要求12所述的裝置，其中，構成所述靶的材料是含釩材料，所述含釩材料包括釩單體金屬、二氧化釩、三氧化釩、四氧化釩以及五氧化釩中的至少一種。