[發明專利]偏移裸片堆疊中的半導體裸片支撐

無效

• 申請號: 200910166162.1
• 申請日: 2009-08-18
• 公開（公告）號: CN101661931A
• 公開（公告）日: 2010-03-03
• 發明（設計）人: 邱錦泰;赫姆·塔基阿爾;習佳清
• 申請（專利權）人: 桑迪士克股份有限公司
• 主分類號: H01L25/065
• 分類號: H01L25/065;H01L23/48;H01L23/12
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司
• 代理人: 劉國偉

1、一種半導體裝置，其包括：

第一組件，其包含多個接觸墊；

第二組件，其支撐于所述第一組件上方，所述第二組件包含未被所述第一組件支撐且定位于所述第一組件上的所述多個接觸墊中的一部分接觸墊上方的邊緣；

支撐結構，其附加到所述第一組件上的所述部分的接觸墊中的一個或一個以上接觸墊，所述支撐結構支撐所述第二組件的未被所述第一組件支撐的所述邊緣；及

至少一個線接合，其在所述第二組件的未被所述第一組件支撐的所述邊緣處從所述第二組件上的裸片接合墊延伸以將所述第二組件電耦合到所述半導體裝置。

2、如權利要求1所述的半導體裝置，其中所述第一組件包括襯底，且所述第二組件包括安裝在第一半導體裸片上的第二半導體裸片，所述第一半導體裸片安裝在所述襯底上。

3、如權利要求1所述的半導體裝置，其中所述第一組件包括第一半導體裸片，且所述第二組件包括安裝在間隔件層上的第二半導體裸片，所述間隔件層安裝在所述第一半導體裸片上。

4、如權利要求1所述的半導體裝置，其中所述支撐結構包括沉積在所述第一組件上的一個或一個以上球。

5、如權利要求1所述的半導體裝置，其中所述支撐結構包括沉積在所述第一組件上的一個或一個以上球堆疊。

6、如權利要求1所述的半導體裝置，其中所述支撐結構包括形成于所述第一組件上的所述部分的接觸墊中的一對接觸墊之間的線環。

7、如權利要求1所述的半導體裝置，其中所述支撐結構通過線接合毛細管附加到所述一個或一個以上接觸墊。

8、如權利要求1所述的半導體裝置，其中所述支撐結構通過在晶片級處的螺柱凸塊形成或金凸塊形成中的一者形成于所述一個或一個以上接觸墊上。

9、如權利要求1所述的半導體裝置，其中所述支撐結構所附加到的所述一個或一個以上接觸墊電接地。

10、如權利要求1所述的半導體裝置，其進一步包括位于所述第二半導體裸片的下側上的介電層。

11、如權利要求10所述的半導體裝置，其中所述支撐結構所附加到的所述一個或一個以上接觸墊不電接地。

12、如權利要求1所述的半導體裝置，其中所述裝置是快閃存儲器裝置。

13、一種半導體裝置，其包括：

襯底，其包含多個接觸墊；

第一半導體裸片，其安裝在所述襯底的表面上，所述襯底上的所述接觸墊中的至少一部分接觸墊緊鄰所述第一半導體裸片的第一邊緣暴露；

第二半導體裸片，其安裝在所述第一半導體裸片的表面上，所述第二半導體裸片包含未被所述第一半導體裸片支撐的第一邊緣；

支撐結構，其附加到所述襯底上緊鄰所述第一半導體裸片的所述第一邊緣暴露的所述部分的接觸墊中的一個或一個以上接觸墊，所述支撐結構支撐所述第二半導體裸片的未被所述第一半導體裸片支撐的所述第一邊緣；及

至少一個線接合，其附加于所述第二半導體裸片上的裸片接合墊與所述襯底上的所述多個接觸墊中的接觸墊之間。

14、如權利要求13所述的半導體裝置，其中所述支撐結構包括沉積在所述襯底上的一個或一個以上球。

15、如權利要求13所述的半導體裝置，其中所述支撐結構包括沉積在所述襯底上的一個或一個以上球堆疊。

16、如權利要求13所述的半導體裝置，其中所述支撐結構包括形成于所述襯底上的所述部分的接觸墊中的一對接觸墊之間的線環。

17、如權利要求13所述的半導體裝置，其中所述支撐結構所附加到的所述一個或一個以上接觸墊電接地。

18、如權利要求13所述的半導體裝置，其進一步包括位于所述第二半導體裸片的下側上的介電層。

19、如權利要求18所述的半導體裝置，其中所述支撐結構所附加到的所述一個或一個以上接觸墊不電接地。