[發明專利]顯示裝置的開關陣列和顯示陣列

無效

• 申請號: 200910164858.0
• 申請日: 2009-08-11
• 公開（公告）號: CN101995689A
• 公開（公告）日: 2011-03-30
• 發明（設計）人: 張鐳;黃河
• 申請（專利權）人: 江蘇麗恒電子有限公司
• 主分類號: G02F1/133
• 分類號: G02F1/133
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 吳靖靚;李麗

技術領域

本發明涉及顯示技術領域，特別涉及顯示裝置的開關陣列和顯示陣列。

背景技術

在微投影顯示技術中，例如透射式液晶顯示(LCD)、反射式數字光輸處理器(DLP)、反射式硅上液晶(LCOS)等，或者平板顯示技術中，例如液晶顯示、有機發光顯示(OLED)、電泳顯示、等離子顯示(PDP)等，顯示陣列的像素單元(或稱電控光學調制單元)由行驅動信號逐行或隔行選通，根據列數據信號進行顯示。

圖1顯示了現有的一種液晶顯示裝置的顯示陣列的電路圖，所示顯示陣列包括MxN個像素單元(M、N為自然數)，其中，M為行數，N為列數，圖1僅示例性地顯示了其中2行x2列的像素單元。

如圖1所示，各個像素單元分別包括開關元件T1、存儲電容Cst和像素電容Clc，開關元件T1的柵極分別與對應的行線耦接，源極與對應的列線耦接，漏極耦接存儲電容Cst和像素電容Clc。具體來說，像素單元p11的開關元件T1的柵極耦接行線L1，源極耦接列線R1；像素單元p12的開關元件T1的柵極耦接行線L1，源極耦接列線R2；像素單元p21的開關元件T1的柵極耦接行線L2，源極耦接列線R1；像素單元p22的開關元件T1的柵極耦接行線L2，源極耦接列線R2。

當行線L1上的柵驅動信號G1選通像素單元p11和p12時，像素單元p11和p12的開關元件T1導通，列線R1、R2上的列數據信號D1、D2分別通過開關元件T1施加于像素單元p11和p12的存儲電容Cst和像素電容Clc；當行線L2上的柵驅動信號G2選通像素單元p21和p22時，像素單元p21和p22的開關元件T1導通，列線R1、R2上的列數據信號D1、D2分別通過開關元件T1施加于像素單元p21和p22的存儲電容Cst和像素電容Clc。

當列數據信號施加于存儲電容Cst和像素電容Clc時，存儲電容Cst充電以保持列數據信號的電壓并提供予像素電容Clc，填充于像素電容Clc的兩電極間的液晶分子LC發生偏轉，其偏轉程度由列數據信號的電壓決定，不同的液晶分子偏轉程度具有不同的二向性光程差，通過與背光源、偏光片等裝置的配合可產生不同的光強。

通常，圖1所示的像素單元的開關元件為晶體管，例如，薄膜晶體管、場效應晶體管等，由于晶體管具有柵極、源極和漏極，受設計規則、關鍵尺寸(CD)和布局等工藝因素的影響，這些晶體管會占據必要的布局面積，因此限制了顯示裝置的小型化和高度集成化。

發明內容

本發明解決的問題是提供一種顯示裝置的開關陣列和顯示陣列，以減小布局面積，實現顯示裝置的小型化和高度集成化。

為解決上述問題，本發明實施方式提供一種顯示裝置的開關陣列，包括：MxN個微機電系統(MEMS，Micro?Electro?Mechanical?systems)開關，其中，M為行數，N為列數，各行的MEMS開關分別由對應的行驅動信號控制，其中，各個MEMS開關在對應的行驅動信號控制下分別輸出對應的列數據信號。

為解決上述問題，本發明實施方式還提供一種顯示裝置的顯示陣列，包括：

開關陣列，MxN個MEMS開關，其中，M為行數，N為列數，各行的MEMS開關分別由對應的行驅動信號控制，其中，各個MEMS開關在對應的行驅動信號控制下分別輸出對應的列數據信號；

像素陣列，包括MxN個像素單元，分別對應耦接所述MxN個MEMS開關，所述各個像素單元根據對應的MEMS開關輸出的列數據信號進行顯示。

與現有技術相比，上述技術方案以MEMS開關取代晶體管作為開關元件，其具有以下優點：

MEMS開關結構簡單，受工藝因素的影響較小，因此占據的布局面積很小，對于具有數百萬甚至上千萬像素的顯示裝置而言，采用MEMS開關可以顯著縮小顯示芯片的布局面積，進而實現顯示裝置的小型化和高度集成化。

同一行的MEMS開關很容易整合在一起，更易于行驅動信號的布線和驅動，進一步縮小了顯示芯片的布局面積，并且更利于集成于一個微型開關陣列器件中。

產生行驅動信號的驅動電路和產生列數據信號的驅動電路可以分別采用較低電壓工藝和較高電壓工藝，即用較低電壓工藝實現較高電壓對存儲電容的充放電，從而降低了功耗和成本。

采用MEMS開關的顯示裝置可以用較小的存儲電容來維持一幀圖像顯示的像素電壓，從而提高了顯示裝置的顯示質量和分辨率。

MEMS開關導通時，數據信號直接從第一端流向第二端，可以提供更穩定的充電電流。