[發明專利]半導體元件、半導體器件以及其制作方法有效
| 申請號： | 200910163535.X | 申請日： | 2004-04-22 |
| 公開（公告）號： | CN101673769A | 公開（公告）日： | 2010-03-17 |
| 發明（設計）人： | 石川明 | 申請（專利權）人： | 株式會社半導體能源研究所 |
| 主分類號： | H01L29/786 | 分類號： | H01L29/786;H01L29/78;H01L29/417;H01L27/02;H01L21/336;H01L21/28;H01L21/82 |
| 代理公司： | 中國專利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 朱海煜;劉春元 |
| 地址： | 日本神奈*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 元件 半導體器件 及其 制作方法 | ||
1.?一種用于制造半導體器件的方法，包括以下步驟：
在半導體膜上形成第一絕緣膜；
在所述半導體膜上形成柵電極，所述第一絕緣膜介于其間；
在所述柵電極上形成接觸于所述柵電極的第四絕緣膜；
在所述第四絕緣膜上形成第二絕緣膜和第三絕緣膜；
形成覆蓋所述柵電極的側面和所述第四絕緣膜的側面的側壁，所述第二絕緣膜和所述第三絕緣膜介于所述柵電極和所述側壁之間以及所述第四絕緣膜和所述側壁之間；
通過使用所述側壁作為掩膜，來蝕刻所述第三絕緣膜，以使被所述側壁覆蓋的所述第三絕緣膜的一部分殘留；
用所述被蝕刻的第三絕緣膜當作掩模，給所述半導體膜添加雜質元素；
通過蝕刻所述第二絕緣膜，來暴露所述半導體膜而形成源區和漏區；
形成覆蓋所述第四絕緣膜、所述側壁和所述半導體膜的第一導電膜；
在所述第一導電膜上形成第二導電膜；
在所述第二導電膜上形成抗蝕劑掩膜；
顯像所述抗蝕劑掩模以便將所述抗蝕劑掩模殘留在所述源區和所述漏區上；
通過使用所述被顯像的抗蝕劑掩膜來蝕刻所述第二導電膜和所述第一導電膜以便暴露所述第四絕緣膜和所述側壁；以及
對所述經蝕刻的第二導電膜和所述經蝕刻的第一導電膜進行蝕刻以形成源電極和漏電極，其中，所述源電極和漏電極的每個與所述半導體膜電連接。
2.?根據權利要求1的方法，其中，所述第一導電膜包含氮化鉭。
3.?根據權利要求1的方法，其中，所述第二絕緣膜包含氮氧化硅，所述第三絕緣膜包含氮化硅。
4.?根據權利要求1的方法，其中，通過在所述第二導電膜上形成抗蝕劑并且去除所述抗蝕劑整個上面部分以便暴露所述第二導電膜的上面部分，來形成所述抗蝕劑掩膜。
5.?根據權利要求1的方法，還包括以下步驟：
在所述源電極、漏電極以及所述第四絕緣膜上形成層間絕緣膜；以及
形成通過所述層間絕緣膜分別電連接到所述源電極和漏電極的布線。
6.?根據權利要求1的方法，其中，所述半導體膜通過使用絕緣硅晶片SOI襯底來形成。
7.?根據權利要求1的方法，其中，所述半導體膜通過使用單晶硅襯底來形成。
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