[發明專利]定影單元及具有該定影單元的圖像形成裝置

有效

• 申請號: 200910162975.3
• 申請日: 2009-08-20
• 公開（公告）號: CN101661257A
• 公開（公告）日: 2010-03-03
• 發明（設計）人: 南條讓;淺利珠美;權鐘浩
• 申請（專利權）人: 京瓷美達株式會社
• 主分類號: G03G15/20
• 分類號: G03G15/20;G03G15/01
• 代理公司: 北京信慧永光知識產權代理有限責任公司
• 代理人: 李雪春;武玉琴

技術領域

本發明涉及定影單元及具有該定影單元的圖像形成裝置，所述定影單元邊使承載了調色劑圖像的紙通過被加熱的輥對之間或加熱帶和輥之間的夾縫，邊把未定影的調色劑加熱熔融，定影在紙上。?

背景技術

近年來，對于利用熱能對調色劑進行定影的裝置，有縮短用于預熱定影單元的時間和節能等的要求。根據這種要求，開發了采用可以減少熱容量的帶方式的定影單元(例如參照日本專利公開公報特開平6-318001號)。此外近年來，定影單元開始應用具有進行快速加熱并高效加熱能力的電磁感應加熱方式(IH)。為了達成對彩色圖像進行定影時節能的目的，開發了具有電磁感應加熱系統的帶方式定影單元，并且具有這種定影單元的圖像形成裝置已經投入市場。具有電磁感應加熱系統的帶方式定影單元可以使線圈的布置設計簡單化，并且能夠使線圈容易冷卻。此外，通過把電磁感應系統配置在帶的外側(所謂外包IH)，能夠直接對帶進行加熱。?

在日本專利公開公報特開2003-107941號和日本專利公報第3527442號中公開的定影單元是外包IH型，采用了防止紙經過時不與該紙接觸的部分過度升溫的技術。?

日本專利公開公報特開2003-107941號中公開的定影單元具有多個磁性構件。多個磁性構件沿通過定影單元的紙的寬度方向排列。按照通過定影單元的紙的寬度尺寸，使多個磁性構件中的一個或一個以上的磁性構件離開或接近勵磁線圈。如果位于紙非通過位置的磁性構件離開勵磁線圈，則發熱效率降低。因此，離開的磁性構件所位于區域的發熱量比其它磁性構件所位于區域的發熱量小。?

日本專利公報第3527442號所公開的定影單元具有能夠在磁場范圍內外移動的導電性構件。首先，使導電性構件位于磁場的有效范圍外，?發熱輥被電磁感應加熱。如果發熱輥的溫度接近居里溫度，則使導電性構件移動到磁場的有效范圍內。在能夠通過定影單元的紙中具有最小寬度的紙通過的區域(最小紙通過區域)的外側，磁通從發熱輥泄漏出來防止過度升溫。通過采用大的導電性構件可以提高抑制過度升溫的效果。但是，大的導電性構件很難從磁場的有效范圍完全退避。如果大的導電性構件中的小區域存在于磁場的有效范圍內，則該小區域會給磁場帶來影響。因此，雖然通過擴大導電性構件的面積能提高抑制過度升溫的效果，但是另一方面也有可能帶來不好的影響。?

發明內容

本發明的目的在于提供一種定影單元，它不必使磁屏蔽構件的面積過大，就可以提高抑制過度升溫的效果，并且能夠有效抑制加熱量；本發明的目的還在于提供具有該定影單元的圖像形成裝置。?

本發明一方面涉及的定影單元包括：被加熱構件；加壓構件，與所述被加熱構件壓力接觸，把所述調色劑圖像定影在所述紙上；至少一個線圈面，由線圈形成，并沿所述被加熱構件的表面配置，所述線圈產生用于對所述被加熱構件進行感應加熱的磁場；至少一個磁屏蔽構件，配置在所述至少一個線圈面的附近；以及可轉動的筒狀的切換構件，具有所述磁場的磁通能夠通過的第一構件和阻礙所述磁通通過的第二構件；其中，所述第二構件覆蓋所述切換構件的外周表面的至少一部分，所述第二構件覆蓋所述切換構件的面積越接近所述切換構件的端部越大，當所述切換構件位于第一位置時對所述被加熱構件的加熱量比所述切換構件位于第二位置時對所述被加熱構件的加熱量小，所述第一位置是所述第二構件接近沿所述切換構件的長邊方向延伸的所述至少一個磁屏蔽構件的位置，所述第二位置是所述第二構件離開所述至少一個磁屏蔽構件的位置。?

所述定影單元在被加熱構件和加壓構件之間將調色劑圖像定影在紙上。由線圈面產生的磁場對被加熱構件進行感應加熱。?

在所述實施方式中，被加熱構件包括加熱輥和/或加熱帶，但被加熱構件也可以是受到感應加熱的任一構件。在所述實施方式中，加壓構件是加壓輥，但加壓構件也可以是能夠施加用于定影調色劑的壓力的任?一構件。?

磁通能夠通過切換構件的第一構件，但不能通過第二構件。當切換構件位于第一位置時，第二構件阻礙磁場(磁通)到達被加熱構件。在所述實施方式中，切換構件是中心磁芯，第一構件是鐵氧體磁芯，第二構件是可動屏蔽構件，但切換構件、第一構件、第二構件不限于此。當切換構件位于第二位置時，磁場(磁通)經由第一構件到達被加熱構件。因此，切換構件位于第一位置時對被加熱構件的加熱量小于所述切換構件位于第二位置時對被加熱構件的加熱量。由此，在所述實施方式中，不必使屏蔽磁通的構件的面積過大，就可以提高抑制過度升溫的效果。?