[發明專利]真空濺鍍設備的旋轉靶裝置

無效

• 申請號: 200910160063.2
• 申請日: 2009-07-20
• 公開（公告）號: CN101956169A
• 公開（公告）日: 2011-01-26
• 發明（設計）人: 黃泳釗;鄭博仁;許建志
• 申請（專利權）人: 北儒精密股份有限公司
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35
• 代理公司: 北京邦信陽專利商標代理有限公司 11012
• 代理人: 王昭林;崔華

技術領域

本發明涉及一種濺鍍設備的靶材結構，特別是指一種磁控濺鍍設備的旋轉靶構造。

背景技術

真空濺鍍法(Sputtering)，是屬于物理氣相沉積(PVD)技術的一種，普遍應用于半導體制程的成膜程序中。其原理是，在一真空腔體中，在陰、陽電極間施加高電壓以驅動輝光放電(Glow?Discharge)效應，將放電氣體(如氬氣)高溫離子化成電漿(plasma)，而電漿中的離子會轟擊靶材(平面靶或旋轉靶)，使得靶材材料的原子或分子濺飛出，并沉積、附著于基板表面上以形成薄膜。

而真空濺鍍法又概分有直流濺鍍法(DC?Sputtering)、射頻濺鍍法(RF?Sputtering)，與磁控濺鍍法(Magnetron?Sputtering)等幾種。主要是由于直流濺鍍或射頻濺鍍存有放電氣體的電離度過低、靶材原子/分子散亂而附著率低，以致薄膜成長效率較差的缺點，透過磁控濺鍍法便能予以改善，該法就是在靶材(陰極)處加設永久磁鐵，讓放電空間在所附加磁場與電場下產生電磁場，將電漿中的電子限制在靶材附近并進行螺旋式移動，如此一來，能增加電子與氣體分子的碰撞次數，提高放電氣體的電離度，相對地，更多的離子轟擊便能濺射出更多的靶材原子/分子，另一方面，放電氣體的壓力能夠降低，不會造成靶材原子/分子散亂，磁控濺鍍法便得以獲得更好的薄膜成長效率，而且，只要調整永久磁鐵的位置，就能讓所沉積薄膜的均勻性達到最佳化。

發明內容

本發明的目的是在提供一種能調整其永久磁鐵的角度位置，以獲得極佳薄膜均勻性的真空濺鍍設備的旋轉靶裝置。

本發明的真空濺鍍設備的旋轉靶裝置，是容置在該真空濺鍍設備的一個腔體中，并包含一個靶管座、一個容置在該靶管座中且且可繞該靶管座的一中心軸線轉動的磁鐵座，以及一個分度盤座。該分度盤座是可轉動地設置在該靶管座的一端面處，并連結該磁鐵座以帶動其轉動。

本發明的有益效果在于：利用該分度盤座能控制該磁鐵座擺動，改變該磁鐵座相對于一基板的角度位置，用以能使沉積在該基板上的薄膜具有極佳均勻度。

附圖說明

圖1是一正視圖，說明本發明真空濺鍍設備的旋轉靶裝置的一優選實施例，其一分度盤座與一磁鐵座的三磁條的位置關系；

圖2是圖1的割線II-II的一局部剖視圖；

圖3是圖1的割線II-II的一局部剖視圖；

圖4是一示意圖，說明在該真空濺鍍設備的一腔體中，該優選實施例與一玻璃基板間的相對關系；

圖5是一正視圖，說明該優選實施例的該分度盤座能帶動該磁鐵座的磁條擺動一預定角度；

圖6是一正視圖，說明該優選實施例的該分度盤座能帶動該磁鐵座的磁條擺動另一預定角度。

具體實施方式

下面結合附圖及實施例對本發明進行詳細說明：

如圖1～圖3所示，本發明真空濺鍍設備的旋轉靶裝置的該優選實施例，是包含一圓管柱狀的靶管座2、一設置在該靶管座2中且能繞該靶管座2的一中心軸線擺轉的磁鐵座4，以及一設置在該靶管座2的一端部處且能控制該磁鐵座4的擺動角度的分度盤座6。

該靶管座2具有一圓管柱狀且其一端部211的斷面概呈L型的背管21、一覆設在該背管21的一外管面上的靶材22、一固設在該背管21的端部211端面上的外固定環塊23、一疊固在該外固定環塊23面接該背管21的一表面231外側上且環夾住該背管21的端部211周圍的夾持片24，以及一同心設置在該外固定環塊23的一內環面上的內固定環塊25。

該分度盤座6具有一間隔對應該外固定環塊23背離該背管21的相反另一表面232且具有一內環齒面611的固定環板61，以及一可相對轉動地疊設在該固定環板61面對該外固定環塊23的一板面612上的分度頭62；該分度頭62是概呈T型塊狀，并具有一可相對轉動地疊接在該固定環板61的板面612上的盤圈部621，以及一自該盤圈部621向外軸向延伸且可相對轉動地穿越過該靶管座2的內固定環塊25內部的圓柱部622，該圓柱部622是進一步與磁鐵座4鎖接。該分度盤座6更具有一疊合并鎖組在該固定環板61的板面612外側上且環夾住該盤圈部621周圍的夾持塊63，以及一凸設在該盤圈部621的一表面且可位移地卡掣在該固定環板61的內環齒面611上的定位銷64，該定位銷64與該內環齒面611兩者相配合以使該分度頭62在轉動某預定角度后定位。