[發明專利]環境光感測裝置及其制造方法及顯示器及其制造方法有效
| 申請號: | 200910159312.6 | 申請日: | 2009-07-13 |
| 公開(公告)號: | CN101604697A | 公開(公告)日: | 2009-12-16 |
| 發明(設計)人: | 戴嘉駿;沈佩誼;吳智宏 | 申請(專利權)人: | 友達光電股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/144 | 分類號: | H01L27/144;H01L31/08;H01L21/82;G01J1/42 |
| 代理公司: | 北京律誠同業知識產權代理有限公司 | 代理人: | 梁 揮;祁建國 |
| 地址: | 臺灣*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 環境 光感測 裝置 及其 制造 方法 顯示器 | ||
1.一種環境光感測裝置,其特征在于,包括:
一基板;
一第一電極及一第二電極分開設置于該基板上;
一第一絕緣層,設置于該基板上,并局部覆蓋該第一電極與該第二電極而分別露出該第一電極及該第二電極的部分上表面,且在鄰近該第一電極與該第二電極的邊緣形成一階差區;
一感光層,僅設置于被該第一絕緣層露出的該第一電極的上表面上;
一第一導電層,覆蓋該感光層、該第一絕緣層的階差區及該第二電極,且電性連接該第二電極;以及
一第二導電層,覆蓋該第二電極及該第一絕緣層的階差區,且與該第一導電層接觸。
2.如權利要求1所述的環境光感測裝置,其特征在于,該第二導電層設置于該第一導電層上方,使該第二導電層僅覆蓋該第二電極與部分該第一導電層的上表面上,所述部分位于該第一絕緣層的該階差區上方。
3.如權利要求1所述的環境光感測裝置,其特征在于,該第二導電層設置于該第一導電層下方,使該第二導電層僅覆蓋被該第一絕緣層露出的該第二電極的上表面上與該第一絕緣層的階差區的上表面上。
4.如權利要求1所述的環境光感測裝置,其特征在于,該第一電極與該第二電極由同一金屬層所構成。
5.如權利要求4所述的環境光感測裝置,其特征在于,該金屬層包括:一第一金屬層、一第二金屬層、以及位于該第一金屬層與該第二金屬層之間的一金屬夾層。
6.如權利要求1所述的環境光感測裝置,其特征在于,該感光層包括富含硅的氧化物、富含硅的氮化物、或富含硅的氮氧化物。
7.如權利要求1所述的環境光感測裝置,其特征在于,該第一導電層為透明導電材料且該第二導電層為一反射材料。
8.如權利要求1所述的環境光感測裝置,其特征在于,該第二導電層的厚度大于該第一導電層的厚度。
9.如權利要求1所述的環境光感測裝置,其特征在于,還包括一第二絕緣層,設置于該基板上,且位于該第一電極、該第二電極、與該第一絕緣層的下方。
10.如權利要求1所述的環境光感測裝置,其特征在于,該感光層還局部覆蓋位于該第一電極邊緣上方的該第一絕緣層上。
11.一種顯示器,具有如權利要求1所述的環境光感測裝置。
12.一種環境光感測裝置的制造方法,其特征在于,包括:
提供一基板;
在該基板上同時形成分開的一第一電極及一第二電極;
在該基板上形成一第一絕緣層,以局部覆蓋該第一電極與該第二電極而分別露出該第一電極及該第二電極的部分上表面,且在鄰近該第一電極與該第二電極的邊緣形成一階差區;
在被該第一絕緣層露出的第一電極上表面上形成一感光層,并延伸至該第一絕緣層的部分上表面;
在該感光層、該第一絕緣層的該階差區及該第二電極上覆蓋一第一導電層,且電性連接該第二電極;
圖案化該第一導電層,使該第一導電層僅覆蓋被該第一絕緣層露出的該第二電極的上表面與該第一絕緣層的該階差區的上表面上;以及
在該感光層及該第一導電層上覆蓋一第二導電層,且與該第一導電層接觸。
13.如權利要求12所述的環境光感測裝置的制造方法,其特征在于,該第一導電層為反射材料且該第二導電層為一透明導電材料。
14.如權利要求12所述的環境光感測裝置的制造方法,其特征在于,該感光層包括富含硅的氧化物、富含硅的氮化物或富含硅的氮氧化物。
15.如權利要求12所述的環境光感測裝置的制造方法,其特征在于,還包括先于該基板上形成一第二絕緣層,且位于該第一電極、該第二電極及該第一絕緣層的下方。
16.如權利要求12所述的環境光感測裝置的制造方法,其特征在于,該第一導電層的厚度大于該第二導電層的厚度。
17.一種顯示器的制造方法,其特征在于,包含如權利要求12所述的環境光感測裝置的制造方法。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





