[發(fā)明專利]掩模及其制造方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200910158968.6
• 申請日: 2009-07-13
• 公開（公告）號: CN101639625A
• 公開（公告）日: 2010-02-03
• 發(fā)明（設計）人: 金鍾斗
• 申請（專利權）人: 東部高科股份有限公司
• 主分類號: G03F1/14
• 分類號: G03F1/14;G03F1/08
• 代理公司: 北京康信知識產(chǎn)權代理有限責任公司
• 代理人: 李丙林;張 英

本申請基于35U.S.C?119要求第10-2008-0068000號(于2008年7月14日遞交)韓國專利申請的優(yōu)先權，其全部內(nèi)容結合于此作為參考。

技術領域

本發(fā)明涉及一種半導體器件，更具體地，涉及一種用于半導體器件圖樣化的掩模以及制造該掩模的方法。

背景技術

在半導體制造工藝的曝光工藝中使用的光刻版(掩膜版，reticle)可以是具有圖樣化的圖像的透明板，該圖樣化的圖像將被傳達至涂覆光刻膠的晶片。完美地制造光刻版是至關重要的。晶片的電路(線路，circuit)最終由光刻版來圖樣化。在致力于確定晶片上和/或上方的半導體器件的逐漸減小的臨界尺寸(criticaldimension)(CD)的過程中，使用具有短波長的光源(例如，ArF193nm)實施曝光工藝。此外，已經(jīng)開發(fā)了相移掩模并將其用于曝光工藝中。

在半導體晶片的制造過程中，利用光刻技術形成光刻膠圖樣可能會產(chǎn)生閃光噪聲(耀斑噪聲，flare?noise)。當形成并暴露掩模圖樣(例如，光刻版)以提供具有與掩模圖樣對應的圖樣的晶片時，閃光噪聲會使設置于晶片上和/或上方的圖樣的CD產(chǎn)生波動。眾所周知的是，閃光噪聲的產(chǎn)生是由于已經(jīng)穿過掩模圖樣的光束失去了其光路，并且位于低密度圖樣區(qū)中的曝光光線的強度提高。

圖1A示出了沒有閃光噪聲的第一空間像(aerial?image)f1，而圖1B示出了受閃光噪聲影響的第二空間像f2。在第二空間像f2中，光的背景強度在閃光噪聲的影響下接近基準線(參考線，reference?line)Rf。因此，當將第一空間像f1與第二空間像f2相互比較時，圖像f1和f2可能使將在晶片上形成的CD產(chǎn)生差異。

通常，例如相移掩模的半導體掩模包括形成于其上和/或其上方的主圖樣(main?pattern)和虛擬圖樣(dummy?pattern)。主圖樣可以為柵極圖樣、金屬線圖樣、溝槽圖樣或接觸孔(contact-hole)圖樣。虛擬圖樣可以被形成用來防止化學機械拋光(CMP)工藝中凹陷(dishing)的產(chǎn)生，或降低刻蝕工藝中的負載效應(loading?effect)。與虛擬圖樣對應的虛擬圖樣圖像可以在晶片上和/或上方被圖樣化。

圖2A示出了一個相移掩模，該相移掩模包括用來減少閃光噪聲的常規(guī)虛擬圖樣，而圖2B示出了沿著圖2A的線I-I’截取的掩模。光刻版200包括形成于石英襯底210上和/或上方的主圖樣A、第一虛擬圖樣B和第二虛擬圖樣C。盡管第一虛擬圖樣B和第二虛擬圖樣C可以形成在主圖樣之間，但是為了不影響將在晶片上和/或上方形成的主圖樣圖像，第一虛擬圖樣B和第二虛擬圖樣C以預定的距離H與主圖樣A隔離開。第一虛擬圖樣B和第二虛擬圖樣C減少了曝光光線的數(shù)量，從而一定程度上減少了閃光噪聲。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明實施例涉及一種掩模及其制造方法，該方法使用精細虛擬圖樣(fine?dummy?pattern)有效地減少了在光刻工藝期間的閃光噪聲。

根據(jù)本發(fā)明實施例，一種掩模可以包括下列中至少之一：形成于光刻版襯底上和/或上方的主圖樣；布置在光刻版襯底上和/或上方并以預定距離與主圖樣隔離開的多個虛擬圖樣；以及形成于多個虛擬圖樣中的至少一個上和/或上方的光屏蔽層(light?shieldinglayer)。

根據(jù)本發(fā)明實施例，一種掩模可以包括下列中至少之一：主圖樣，形成于光刻版襯底上方；多個第一虛擬圖樣，形成于光刻版襯底上方，鄰近主圖樣的第一側并在基本上與主圖樣平行的方向上對齊排列，且與主圖樣隔離開；多個第二虛擬圖樣，形成于光刻版襯底上方，鄰近主圖樣的第二側并在基本上與主圖樣平行的方向上對齊排列，且與主圖樣隔離開；以及多個第三虛擬圖樣，形成于光刻版襯底上方，并且在位于主圖樣與多個第一虛擬圖樣之間的間隔中以及在位于主圖樣與多個第二虛擬圖樣之間的間隔中對齊排列，該多個第三虛擬圖樣具有的分辨率(resolution)等于或小于極限分辨率(limit?resolution)。

根據(jù)本發(fā)明實施例，一種掩模可以包括下列中至少之一：主圖樣，形成于光刻版襯底上和/或上方；一個以上的虛擬圖樣，布置在光刻版襯底上和/或上方，并且與主圖樣隔離開；以及至少一個精細虛擬圖樣，形成在位于主圖樣和虛擬圖樣之間的光刻版襯底上和/或上方，該至少一個精細虛擬圖樣具有的分辨率等于或小于極限分辨率，以便在曝光工藝期間不在晶片上和/或上方形成圖樣圖像(pattern?image)。