[發明專利]光學信息記錄介質、記錄和再生方法及裝置以及記錄粒子

無效

• 申請號: 200910158963.3
• 申請日: 2009-07-10
• 公開（公告）號: CN101625879A
• 公開（公告）日: 2010-01-13
• 發明（設計）人: 小島直人
• 申請（專利權）人: 索尼株式會社
• 主分類號: G11B7/24
• 分類號: G11B7/24;G11B7/242;G11B7/241;G11B7/005;G11B7/0045
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司
• 代理人: 余 剛;吳孟秋

1.一種光學信息記錄介質，包括：

記錄層，

其中，具有100nm以下直徑的納米粒子在被具有隨光的照射而改變的復數介電常數的介質包圍的情況下被設置，以及

由所述納米粒子產生的局部等離振子共振的程度隨所述介質的所述復數介電常數的改變而改變。

2.根據權利要求1所述的光學信息記錄介質，

其中，所述記錄層包括其中所述納米粒子被包圍在所述介質中的被排列的記錄粒子。

3.根據權利要求2所述的光學信息記錄介質，

其中，所述記錄粒子中的1個粒子表示1位信息。

4.根據權利要求2所述的光學信息記錄介質，

其中，所述記錄粒子僅排列在其上將記錄信息的磁道上。

5.根據權利要求2所述的光學信息記錄介質，

其中，所述記錄粒子與相鄰的記錄粒子以其間具有預定間隔而分離地排列。

6.根據權利要求2所述的光學信息記錄介質，

其中，所述記錄粒子在被鋪滿整個所述記錄層上的情況下被排列。

7.根據權利要求1所述的光學信息記錄介質，

其中，所述介質包括隨光的照射而轉變為晶態或非晶態的相變材料。

8.根據權利要求1所述的光學信息記錄介質，

其中，所述納米粒子包括Au、Ag、Pt、Al或Cu。

9.根據權利要求2所述的光學信息記錄介質，

其中，所述記錄粒子具有3nm以上且52nm以下的直徑。

10.根據權利要求2所述的光學信息記錄介質，

其中，所述納米粒子具有1nm以上且50nm以下的直徑。

11.根據權利要求2所述的光學信息記錄介質，

其中，所述介質具有1nm以上且25nm以下的厚度。

12.根據權利要求1所述的光學信息記錄介質，包括鄰近所述記錄層設置的并使光以高透射率通過的基板。

13.根據權利要求12所述的光學信息記錄介質，

其中，所述基板在與所述記錄層的界面處包括抗反射膜。

14.一種光學信息記錄介質，包括：

記錄層，

其中，具有100nm以下直徑的金屬粒子被隨光的照射而轉變為晶態或非晶態的相變材料所包圍。

15.一種光學信息記錄介質，包括：

記錄層，

由具有100nm以下直徑的納米粒子和介質形成，

其上通過隨記錄光的照射改變所述介質的復數介電常數而記錄信息，以及

基于隨讀取光的照射由所述納米粒子產生的局部等離振子共振的程度的改變而從其再生信息。

16.一種記錄粒子，

其中，具有100nm以下直徑的納米粒子被包圍在具有隨具有預定等級以上強度的光的照射而改變的復數介電常數的介質中。

17.一種記錄粒子，包括具有100nm以下直徑的納米粒子和包圍所述納米粒子的介質，

其中，所述納米粒子或所述介質中的任一個的復數介電常數隨具有預定等級以上強度的光的照射而改變。

18.一種光學信息再生方法，包括以下步驟：

使光聚集并使光照射向光學信息記錄介質；以及

檢測在所述光學信息記錄介質中產生的局部等離振子共振的程度。

19.一種光學信息再生裝置，包括：

光照射部，使從光源發出的光聚集，并使光照射向光學信息記錄介質；以及

檢測部，檢測在所述光學信息記錄介質中產生的局部等離振子共振的程度。

20.根據權利要求19所述的光學信息再生裝置，

其中，所述光照射部使由等離振子天線產生的近場光照射向所述光學信息記錄介質。

21.根據權利要求19所述的光學信息再生裝置，

其中，所述光照射部基于整個所述光照射部而具有1.0以上的數值孔徑(NA)。