[發明專利]一種用于制備納米線陣列的模板的制造方法

無效

• 申請號: 200910157108.0
• 申請日: 2009-12-29
• 公開（公告）號: CN101723314A
• 公開（公告）日: 2010-06-09
• 發明（設計）人: 邱東江
• 申請（專利權）人: 浙江大學
• 主分類號: B82B3/00
• 分類號: B82B3/00
• 代理公司: 杭州中成專利事務所有限公司 33212
• 代理人: 盛輝地

1.一種用于制備納米線陣列的模板的制造方法，采用熱膨脹系數小于15*10^-6K^-1的襯底材料 和熱膨脹系數大于50*10^-6K^-1的軟質薄膜，所述的軟質薄膜是聚合物薄膜，利用襯底與薄 膜兩種材料熱膨脹系數的巨大差異，在熱膨脹系數大的薄膜材料上引入足夠大的熱應力， 然后在瞬間將其釋放，熱膨脹系數大的薄膜表面形成排列規則、有序的裂紋，得到用于制 備納米線陣列的模板，制造步驟如下：

1)選取一塊表面平整、質地較硬、強度好、熱膨脹系數小于15*10^-6K^-1的薄片材料作為襯底 材料，首先采用旋涂法在襯底表面涂覆一層厚度為550納米和600納米的熱膨脹系數大于 50*10^-6K^-1的軟質薄膜，然后烘干；

2)利用光刻技術將軟質薄膜刻蝕成長條形圖案，使留在襯底表面的長條狀軟質薄膜的寬度 為8微米和10微米；

3)將光刻后得到的長條狀的軟質薄膜連同硬質襯底一起，在70～90℃溫度范圍加熱10分鐘 至15分鐘；

4)將加熱后的襯底連同長條狀軟質薄膜浸入液氮或液氦中，2～3秒鐘后將其從液氮或液氦中 取出，軟質薄膜在液氮或液氦中浸淬后形成裂紋，將其置于顯微鏡下觀察，在長條狀的軟 質薄膜區域內見到規則排列的線狀裂紋，線狀裂紋的寬度為180納米和200納米，裂紋形 成處的襯底暴露，得到用于制備納米線陣列的模板。

2.根據權利要求1所述的用于制備納米線陣列的模板的制造方法，其特征是：所述線狀裂 紋的寬度在50～300納米之間可調，裂紋的深度即為軟質薄膜的厚度，線狀裂紋的長度在 7～20微米之間可調。

3.根據權利要求1所述的用于制備納米線陣列的模板的制造方法，其特征是：所述襯底材 料是單晶Si拋光片、單晶藍寶石拋光片或普通玻璃片。

4.根據權利要求1所述的用于制備納米線陣列的模板的制造方法，其特征是：所述軟質薄 膜是聚合物薄膜。

5.根據權利要求4所述的用于制備納米線陣列的模板的制造方法，其特征是：所述軟質薄 膜是聚甲基丙烯酸甲酯薄膜。