[發明專利]集成電路結構及其形成方法

有效

• 申請號: 200910150287.5
• 申請日: 2009-06-25
• 公開（公告）號: CN101742389A
• 公開（公告）日: 2010-06-16
• 發明（設計）人: 吳汀淏;鄭創仁;李久康;蔡尚穎;彭榮輝
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H04R19/04
• 分類號: H04R19/04;B81B7/02;H01L27/02;H04R31/00;B81C1/00;H01L21/70
• 代理公司: 北京中原華和知識產權代理有限責任公司 11019
• 代理人: 壽寧;張華輝

1.一種集成電路結構，其特征在于其包含：

一電容，該電容包含：

一第一電容板，由多晶硅所形成，其中該第一電容板包含一設定為 回應于一聲波而振動的一第一部分；及

一第二電容板，包含一第一開口，該第一開口貫穿該第二電容板， 其中該第一電容板位于該第一開口內，該第二電容板圍繞該第一電容板的 該第一部分，且該第二電容板不接觸該第一電容板，該第二電容板的該第 一開口具有傾斜側壁，其中該傾斜側壁的上面部分距該第一開口中心軸的 距離小于該傾斜側壁的下面部分距該第一開口中心軸的距離。

2.根據權利要求1所述的集成電路結構，其特征在于其不包含任何平 行于且直接位于該第一電容板之上或之下的導電板，且其中該導電板是連 接至一電極。

3.根據權利要求1所述的集成電路結構，其特征在于其還包含一基板， 平行于且位于該第二電容板之下，其中該基板包含一第二開口，實質上垂 直對位于該第一電容板。

4.根據權利要求3所述的集成電路結構，其特征在于其中該第一開口 在接近該基板的一側具有一較大尺寸，且于遠離該基板的一側具有一較小 尺寸。

5.根據權利要求3所述的集成電路結構，其特征在于其還包含一介電 層，間隔該第二電容板與該基板，其中該介電層鄰接該第二電容板及該基 板。