[發明專利]復合半導體器件、印頭以及圖像形成裝置

有效

• 申請號: 200910145514.5
• 申請日: 2009-05-27
• 公開（公告）號: CN101621048A
• 公開（公告）日: 2010-01-06
• 發明（設計）人: 大川一也;十文字伸哉;谷中真澄;浜野廣;小泉真澄
• 申請（專利權）人: 日本沖信息株式會社
• 主分類號: H01L23/528
• 分類號: H01L23/528;H01L21/78;B41J2/45;H04N5/335
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司
• 代理人: 臧霽晨;李家麟

技術領域

本發明涉及復合半導體器件，諸如由切割方式制造的LED(發光二極管) 陣列，并且還涉及印頭以及使用所述復合半導體器件的圖像形成裝置。

背景技術

復合半導體器件是通過如下方法而被制造的：即在半導體晶片的器件形 成區域上形成多個半導體元件，并且在切割區域(在器件形成區域之間) 上切割所述半導體晶片以便將該半導體晶片分割成多個半導體芯片(即復 合半導體器件)。

通常，以高速旋轉的切割刀片被用于切割半導體晶片。當使用該切割刀 片切割所述半導體晶片時，在半導體芯片上可能會由于切割刀片所施加的 外力而產生裂紋或碎片。

為了防止在半導體芯片上產生裂紋和碎片以便因此而提高良品率，如下 方法被建議：即為了防止在切割過程中外力傳播到器件形成區域，在半導 體晶片的切割區域內提供獨立的圖案部分(參見公開號為2008-010571的日 本專利)。

近來，高精度切割過程被使用以保持與半導體器件的尺寸減小以及品質 提升的趨勢相一致。在高精度切割過程中，半導體晶片在靠近器件形成區 域的位置處被切割。在這種情況下，獨立圖案部分的效果被降低，并且可 能在半導體芯片上產生裂紋。因此，存在如下需求：即使在高精度切割過 程中，也要防止在半導體芯片(即復合半導體器件)上產生裂紋。

發明內容

本發明意在提供一種能夠通過防止在高精度切割過程中產生裂紋而提高 良品率的復合半導體器件，并且提供一種印頭以及使用這種復合半導體器 件的圖像形成裝置。

本發明提供了一種形成于半導體晶片的復合半導體器件，所述半導體晶 片具有多個器件形成區域和被限定在所述器件形成區域之間的切割區域， 其中，在所述器件形成區域內形成半導體元件，并且所述復合半導體器件 是通過在切割區域內切割半導體晶片而形成的。復合半導體晶片包括半導 體基板和多個層疊在半導體基板上的布線層。所述布線層至少包括導電薄 膜。連接部分被形成以便在布線層的層疊方向上將布線層彼此連接。每一 個連接部分均被布置在器件形成區域相對于定義在切割區域里的切割位置 的一側。

由于具有這種結構，甚至當由于切割刀片施加的外力而在切割位置上產 生裂紋時，所述連接部分可以防止裂紋擴散到器件形成區域的內部。因此， 可以防止在復合半導體器件上產生裂紋，從而良品率可以被提高。

本發明的更進一步的適用范圍將會通過下文中的詳細描述而變得更清 晰。然而，應該理解所述指示出本發明的優選實施方式的詳細的描述和特 定實施例僅以示例的方式給出，因為通過這些詳細的描述，在本發明的精 神和范圍內的各種變化和修改對于本領域技術人員而言是顯而易見的。

附圖說明

在附圖中：

圖1A為根據本發明的第一實施方式的復合半導體器件的俯視圖；

圖1B為沿圖1A中線IB-IB的剖面圖；

圖2為用于示意性展示根據本發明的第一實施方式的半導體晶片在切割 過程中的狀態的剖面圖；

圖3A為顯示了根據對比實施例的復合半導體器件的俯視圖；

圖3B為沿圖3A中線IIIB-IIIB的剖面圖；

圖4為用于示意性展示根據對比實施例的半導體晶片在切割過程中的狀 態的剖面圖；

圖5A至圖5F為用于展示根據第一實施方式的復合半導體器件的一種制 造過程的剖面圖；

圖6A至圖6F為用于展示根據第一實施方式的復合半導體器件的所述制 造過程的剖面圖；

圖7為用于示意性展示本發明的第一實施方式的變化形式的剖面圖；

圖8為用于示意性的展示另一個對比實施例的剖面圖；

圖9為顯示了根據本發明的第二實施方式的復合半導體器件的剖面圖；

圖10為用于示意性展示本發明第二實施方式的變化形式的剖面圖；

圖11為顯示了使用了根據本發明的實施方式的復合半導體器件的LED 頭的剖面圖；

圖12為顯示了圖11中所示的LED頭的LED單元的實施例的俯視圖； 和

圖13示意性的顯示了使用根據本發明的實施方式的復合半導體器件的 圖像形成裝置的主要部分。

具體實施方式

隨后，本發明的實施方式將會參考附圖而被描述。

實施方式1