[發明專利]升壓電路無效
| 申請號: | 200910142045.1 | 申請日: | 2009-05-27 |
| 公開(公告)號: | CN101594051A | 公開(公告)日: | 2009-12-02 |
| 發明(設計)人: | 山平征二 | 申請(專利權)人: | 松下電器產業株式會社 |
| 主分類號: | H02M3/07 | 分類號: | H02M3/07 |
| 代理公司: | 中科專利商標代理有限責任公司 | 代理人: | 汪惠民 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 升壓 電路 | ||
1.一種升壓電路,具備:升壓單元,其在基板上具有第1導電型的第1阱區,在所述第1阱區內具有第2導電型的第2阱區,包含所述第1阱區內和所述第2阱區內任意一方或雙方所具備的第1開關元件群,其特征在于,包括:
第1升壓單元列,由N段(N≥1)所述升壓單元構成;
第2升壓單元列,由M段(M≥1)所述升壓單元構成;
第1模擬比較電路,對所述第1升壓單元列的第i段(1≤i≤N)的所述升壓單元的輸出電位和所述第2升壓單元列的第i段(1≤i≤M)的所述升壓單元的輸出電位進行比較,
將所述第1模擬比較電路的輸出電位,施加在位于第k段(1≤k≤i)的1個以上的所述升壓單元所具備的所述第1開關元件群的所述第2阱區。
2.根據權利要求1所述的升壓電路,其特征在于,
還包括:防逆流電路,在所述基板上具有第1導電型的第3阱區,在所述第3阱區內具有第2導電型的第4阱區,包含所述第3阱區內和所述第4阱區內任意一方或雙方所具備的第2開關元件群,
對所述第1升壓單元列再加上所述防逆流電路,構成第3升壓單元列,
對所述第2升壓單元列再加上所述防逆流電路,構成第4升壓單元列,
將第i段(1≤i≤N和1≤i≤M)所述升壓單元所具備的所述第1模擬比較電路的輸出電位,施加在1個以上的所述防逆流電路所具備的所述第2開關元件群的所述第4阱區。
3.根據權利要求1所述的升壓電路,其特征在于,還包括:
防逆流電路,其在所述基板上具有第1導電型的第3阱區,在所述第3阱區內具有第2導電型的第4阱區,包含所述第3阱區內和所述第4阱區內任意一方或雙方所具備的第2開關元件群;
第3升壓單元列,對所述第1升壓單元列再加上所述防逆流電路而構成;
第4升壓單元列,對所述第2升壓單元列再加上所述防逆流電路而構成;和
第2模擬比較電路,對所述第3升壓單元列所具備的所述防逆流電路的第1內部節點電壓、和所述第4升壓單元列所具備的所述防逆流電路的第2內部節點電壓進行比較,
對1個以上的所述防逆流電路所具備的所述第2開關元件群的所述第4阱區,施加所述第2模擬比較電路的輸出電位。
4.根據權利要求1所述的升壓電路,其特征在于,
所述第1模擬比較電路,被對所述升壓單元的所有段設置。
5.根據權利要求1所述的升壓電路,其特征在于,
所述第1模擬比較電路,被對所述升壓單元的每任意段數設置。
6.根據權利要求1所述的升壓電路,其特征在于,
所述第1模擬比較電路,在所述基板上具有第1導電型的第5阱區,在所述第5阱區內具有第2導電型的第6阱區,在所述第6阱區內具有第3開關元件群。
7.根據權利要求3所述的升壓電路,其特征在于,
所述第2模擬比較電路,在所述基板上具有第1導電型的第7阱區,在所述第7阱區內具有第2導電型的第8阱區,在所述第8阱區內具有第4開關元件群。
8.根據權利要求6所述的升壓電路,其特征在于,
將所述第1開關元件群的所述第2阱區和所述第3開關元件群的所述第6阱區的布局共享化。
9.根據權利要求7所述的升壓電路,其特征在于,
將所述第2開關元件群的所述第4阱區和所述第4開關元件群的所述第8阱區的布局共享化。
10.一種升壓電路,具備:升壓單元,在基板上具有第1導電型的第1阱區,在所述第1阱區內具有第2導電型的第2阱區,包含所述第1阱區內和所述第2阱區內任意一方或雙方所具備的第1開關元件群,其特征在于,包括:
第1升壓單元列,由N段(N≥1)所述升壓單元構成;和
第2升壓單元列,由M段(M≥1)所述升壓單元構成,
將所述第1升壓單元列的第i段(1≤i≤N)的所述升壓單元的所述第2阱區、和所述第2升壓單元列的第i段(1≤i≤M)的所述升壓單元的所述第2阱區的布局共享化。
11.根據權利要求10所述的升壓電路,其特征在于,
還包括:防逆流電路,其在所述基板上具有第1導電型的第3阱區,在所述第3阱區內具有第2導電型的第4阱區,包含所述第3阱區內和所述第4阱區內任意一方或雙方所具備的第2開關元件群,
對所述第1升壓單元列再加上所述防逆流電路,構成第3升壓單元列,
對所述第2升壓單元列再加上所述防逆流電路,構成第4升壓單元列,
將所述第3升壓單元列所具備的所述防逆流電路的所述第4阱區、和所述第4升壓單元列所具備的所述防逆流電路的所述第4阱區的布局共享化。
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