[發(fā)明專利]臺(tái)型半導(dǎo)體裝置及其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200910140669.X
• 申請(qǐng)日: 2009-06-12
• 公開（公告）號(hào): CN101604660A
• 公開（公告）日: 2009-12-16
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 關(guān)克行;土屋尚文;鈴木彰;岡田喜久雄
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 三洋電機(jī)株式會(huì)社;三洋半導(dǎo)體株式會(huì)社;三洋半導(dǎo)體制造株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L21/784
• 分類號(hào): H01L21/784;H01L21/329;H01L21/31;H01L27/102;H01L29/861
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司
• 代理人: 周國城

1.一種臺(tái)型半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于含有：?

準(zhǔn)備第1導(dǎo)電型的半導(dǎo)體襯底，?

于所述半導(dǎo)體襯底的表面形成比所述半導(dǎo)體襯底低濃度的第1導(dǎo)電型的第1半導(dǎo)體層的步驟；?

于所述第1半導(dǎo)體層的表面形成第2導(dǎo)電型的第2半導(dǎo)體層的步驟；?

以掩模層局部性地被覆所述第2半導(dǎo)體層的表面，并形成從所述第2半導(dǎo)體層的表面到達(dá)所述半導(dǎo)體襯底中的臺(tái)溝的蝕刻步驟；?

在干O₂或濕O₂環(huán)境的高溫爐中，在所述臺(tái)溝內(nèi)及所述第2半導(dǎo)體層上形成熱氧化膜的步驟；?

在由所述臺(tái)溝內(nèi)的所述熱氧化膜所圍成的溝內(nèi)及所述第2半導(dǎo)體層上的所述熱氧化膜的一部分的上方形成帶有負(fù)電荷的有機(jī)絕緣膜的步驟；?

在所述形成有機(jī)絕緣膜的步驟后，在所述熱氧化膜的未形成有所述有機(jī)絕緣膜的部分形成使所述第2半導(dǎo)體層露出的開口部的光刻步驟；及?

在所述開口部?jī)?nèi)形成電極的步驟。?

2.一種臺(tái)型半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于含有：?

準(zhǔn)備第1導(dǎo)電型的半導(dǎo)體襯底，?

于所述半導(dǎo)體襯底的表面形成比所述半導(dǎo)體襯底低濃度的第1導(dǎo)電型的第1半導(dǎo)體層的步驟；?

于所述第1半導(dǎo)體層的表面形成第2導(dǎo)電型的第2半導(dǎo)體層的步驟；?

以掩模層局部性地被覆所述第2半導(dǎo)體層的表面，并形成從所述第2半導(dǎo)體層的表面到達(dá)所述半導(dǎo)體襯底中的臺(tái)溝的蝕刻步驟；?

在干O₂或濕O₂環(huán)境的高溫爐中，以埋設(shè)于所述臺(tái)溝內(nèi)的方式形成熱氧化膜的步驟；?

在所述熱氧化膜的一部分的上方，以延伸至所述第2半導(dǎo)體層上方的方式形成帶有負(fù)電荷的有機(jī)絕緣膜的步驟；?

在所述形成有機(jī)絕緣膜的步驟后，在所述熱氧化膜的未形成有所述有機(jī)絕緣膜的部分形成使所述第2半導(dǎo)體層露出的開口部的光刻步驟；及?

在所述開口部?jī)?nèi)形成電極的步驟。?

3.如權(quán)利要求1或2所述的臺(tái)型半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，所述有機(jī)絕緣膜是有機(jī)光刻膠、環(huán)氧樹脂。?

4.一種臺(tái)型半導(dǎo)體器件，其特征在于具備：?

第1導(dǎo)電型的半導(dǎo)體襯底；?

第1導(dǎo)電型的第1半導(dǎo)體層，接合于所述半導(dǎo)體襯底的表面且比所述半導(dǎo)體襯底低濃度；?

第2導(dǎo)電型的第2半導(dǎo)體層，接合于所述第1半導(dǎo)體層的表面，與所述第1半導(dǎo)體層共同形成PN接合部；?

臺(tái)溝，從所述第2半導(dǎo)體層的表面到達(dá)所述半導(dǎo)體襯底中；?

熱氧化膜，形成在所述第2半導(dǎo)體層上所述臺(tái)溝內(nèi)；?

有機(jī)絕緣膜，形成在所述臺(tái)溝內(nèi)的由所述熱氧化膜所圍成的溝內(nèi)及所述第2半導(dǎo)體層上的所述熱氧化膜的一部分的上方且?guī)в胸?fù)電荷；及?

電極，在形成所述有機(jī)絕緣膜的步驟之后，形成在所述熱氧化膜的未形成有所述有機(jī)絕緣膜的部分形成的使所述第2半導(dǎo)體層露出的開口部?jī)?nèi)而接觸于所述第2半導(dǎo)體的表面。?

5.一種臺(tái)型半導(dǎo)體器件，其特征在于具備：?

第1導(dǎo)電型的半導(dǎo)體襯底；?

第1導(dǎo)電型的第1半導(dǎo)體層，接合于所述半導(dǎo)體襯底的表面且比所述半導(dǎo)體襯底低濃度；?

第2導(dǎo)電型的第2半導(dǎo)體層，接合于所述第1半導(dǎo)體層的表面，與所述第1半導(dǎo)體層共同形成PN接合部；?

臺(tái)溝，從所述第2半導(dǎo)體層的表面到達(dá)所述半導(dǎo)體襯底中；?

熱氧化膜，埋設(shè)于所述臺(tái)溝內(nèi)；?

有機(jī)絕緣膜，在所述熱氧化膜上，以在所述第2半導(dǎo)體層的一部分的上方延伸的方式形成且?guī)в胸?fù)電荷；及?

電極，在形成所述有機(jī)絕緣膜的步驟之后，形成在所述熱氧化膜的?未形成有所述有機(jī)絕緣膜的部分形成的使所述第2半導(dǎo)體層露出的開口部?jī)?nèi)而接觸于所述第2半導(dǎo)體的表面。?

6.如權(quán)利要求4或5所述的臺(tái)型半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述有機(jī)絕緣膜是由有機(jī)光刻膠、環(huán)氧樹脂所構(gòu)成。?