[發(fā)明專利]主動(dòng)元件矩陣基板

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200910140205.9
• 申請(qǐng)日: 2009-07-07
• 公開（公告）號(hào): CN101598877A
• 公開（公告）日: 2009-12-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉竹育;施明宏;吳宙秦;陳怡君
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 友達(dá)光電股份有限公司
• 主分類號(hào): G02F1/1362
• 分類號(hào): G02F1/1362;G02F1/133
• 代理公司: 北京律誠同業(yè)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 梁 揮;祁建國

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明是有關(guān)于一種基板，且特別是有關(guān)于一種主動(dòng)元件矩陣基板。

背景技術(shù)

在諸多平面顯示器(Flat?Panel?Display，F(xiàn)PD)中，液晶顯示器(LiquidCrystal?Display，LCD)因具有高空間利用效率、低消耗功率、無輻射以及低電磁干擾等優(yōu)越特性，因此成為目前市場的主流。

圖1A繪示為現(xiàn)有技術(shù)一種液晶顯示器的立體示意圖。請(qǐng)參照?qǐng)D1A，液晶顯示器100具有一主動(dòng)元件矩陣基板110、一對(duì)向基板120、一夾設(shè)于主動(dòng)元件矩陣基板110與對(duì)向基板120之間的液晶層130以及用以提供光線的背光模塊140。主動(dòng)元件矩陣基板110上具有多個(gè)像素單元112以及多條位于像素單元112之間的信號(hào)線114，對(duì)向基板120具有一共通電極122。液晶層130中的液晶分子藉由像素單元112中的像素電極116與共通電極122之間的電壓差作不同程度的扭轉(zhuǎn)，以控制背光模塊140所提供的光線L經(jīng)過液晶顯示面板150的穿透率，而使液晶顯示面板150呈現(xiàn)顯示效果。

圖1B進(jìn)一步繪示圖1A的現(xiàn)有技術(shù)的一種液晶顯示器的局部放大剖面示意圖，其中圖1B中繪示兩組像素單元112的剖面為例作說明。請(qǐng)參照?qǐng)D1B，對(duì)向基板120具有一位于信號(hào)線114上方的黑色矩陣124(Black?Matrix簡稱BM，圖1中僅繪示一個(gè)黑色矩陣為例)。如圖1B所示，由于信號(hào)線114上方的液晶層130的液晶分子會(huì)受到信號(hào)線114的影響而產(chǎn)生非預(yù)期的扭轉(zhuǎn)，導(dǎo)致漏光現(xiàn)象，因此黑色矩陣124對(duì)應(yīng)地設(shè)置于信號(hào)線114上方的對(duì)向基板120上，用以遮蔽通過非顯示區(qū)域(如信號(hào)線)的光線以避免漏光。

如前述，為避免液晶顯示器100在顯示時(shí)產(chǎn)生上述漏光的現(xiàn)象，可藉由加寬黑色矩陣124的寬度W’來改善側(cè)向漏光的問題。然而，加寬黑色矩陣124寬度W’會(huì)使得液晶顯示面板150的像素開口率(Aperture?Ratio)下降，進(jìn)而影響液晶顯示器100的亮度表現(xiàn)。因此，如何在兼顧開口率的需求下防止漏光是目前液晶顯示器的一大課題。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明提供一種主動(dòng)元件矩陣基板，其可以大幅增加開口率，并可大幅降低數(shù)據(jù)線與共通線之間的寄生電容。

本發(fā)明提出一種主動(dòng)元件矩陣基板，其包括一基板、一第一圖案化導(dǎo)體層、一介電層、一第二圖案化導(dǎo)體層、一保護(hù)層以及多個(gè)像素電極。第一圖案化導(dǎo)體層配置于基板上，第一圖案化導(dǎo)體層包括多條掃描線、多個(gè)與掃描線連接的柵極、多條共通線以及多個(gè)條狀浮置遮光圖案。介電層配置于基板上以覆蓋第一圖案化導(dǎo)體層，介電層具有多個(gè)第一接觸開口，且各第一接觸開口分別將共通線的一部分區(qū)域暴露。第二圖案化導(dǎo)體層配置于介電層上，第二圖案化導(dǎo)體層包括多條數(shù)據(jù)線、多個(gè)與數(shù)據(jù)線連接的源極、多個(gè)漏極、多個(gè)條狀電容電極，其中各條狀電容電極通過其中一個(gè)第一接觸開口與其中一條共通線電性連接，各數(shù)據(jù)線與其中一條狀電容電極之間具有一間隙，且各條狀浮置遮光圖案位于數(shù)據(jù)線、間隙以及條狀電容電極下方。保護(hù)層配置于介電層上以覆蓋第二圖案化導(dǎo)體層，保護(hù)層具有多個(gè)第二接觸開口，且各第二接觸開口分別將其中一個(gè)漏極暴露。多個(gè)像素電極配置于保護(hù)層上，其中各像素電極分別通過其中一個(gè)第二接觸開口與其中一個(gè)漏極電性連接。

在本發(fā)明之一實(shí)施例中，上述的各數(shù)據(jù)線例如與其中一條狀電容電極之間的間隙未被像素電極所覆蓋。

在本發(fā)明之一實(shí)施例中，上述的掃描線的延伸方向例如是實(shí)質(zhì)上平行于共通線的延伸方向，且各共通線分別位于二相鄰掃描線之間。

在本發(fā)明之一實(shí)施例中，上述的數(shù)據(jù)線的延伸方向例如實(shí)質(zhì)上平行于條狀浮置遮光圖案以及條狀電容電極的延伸方向。

在本發(fā)明之一實(shí)施例中，上述的位于同一條數(shù)據(jù)線兩側(cè)的二條狀電容電極的間隙例如為S，各條狀浮置遮光圖案的線寬例如為W1，而各數(shù)據(jù)線的線寬例如為W2，且W1＞S＞W(wǎng)2。

在本發(fā)明之一實(shí)施例中，上述的各條狀浮置遮光圖案的線寬例如為W1，各數(shù)據(jù)線的線寬例如為W2，而各間隙例如為G，且W1＞W(wǎng)2+2G。

在本發(fā)明之一實(shí)施例中，上述的各條狀電容電極的至少部分區(qū)域例如與其中一個(gè)像素電極重疊。