[發(fā)明專利]存儲器控制器、存儲器系統(tǒng)及用于存儲器系統(tǒng)的控制方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200910140010.4 | 申請日: | 2009-07-14 |
| 公開(公告)號: | CN101630289A | 公開(公告)日: | 2010-01-20 |
| 發(fā)明(設計)人: | 白石敦;北爪敏彥 | 申請(專利權)人: | 株式會社東芝 |
| 主分類號: | G06F12/06 | 分類號: | G06F12/06 |
| 代理公司: | 北京市中咨律師事務所 | 代理人: | 楊曉光;張靜娟 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 存儲器 控制器 系統(tǒng) 用于 控制 方法 | ||
相關申請的交叉引用
本申請要求2008年7月14日在日本提交的日本申請No.2008-183024的優(yōu)先權,在此引入其內容作為參考。
技術領域
本發(fā)明涉及一種用于以存儲器交叉存取的方式對能夠在一個存儲器單元中存儲多位數據的半導體存儲器部件進行存取的存儲器控制器、具有該存儲器控制器的存儲器系統(tǒng)、以及用于該存儲器系統(tǒng)的控制方法。
背景技術
現今,作為非易失性存儲器系統(tǒng)的閃速存儲器裝置被廣泛用作用于數碼相機等的外部存儲裝置來作為主機、用于計算機系統(tǒng)等的啟動存儲器系統(tǒng),這是因為閃速存儲器裝置允許數據的重寫,并且即使在斷電狀態(tài)下也能夠保持數據。
在這種閃速存儲器裝置之中,NAND型閃速存儲器裝置被認為是可實現大容量和低成本的非易失性存儲器系統(tǒng)。NAND型閃速存儲器使用通過絕緣膜注入到半導體存儲器部件的存儲器單元的電荷聚集層中的電荷作為數位信息,測量由電荷的量確定的晶體管的閾值電壓的差異,并且讀出信息。
為了實現進一步提高的容量和進一步減低的成本,已進行了對使用多級技術來在單個存儲器單元中存儲兩位以上的數據的NAND型閃速存儲器裝置即所謂的多值閃速存儲器裝置(下文中也稱為“多值存儲器”)的大量研究和開發(fā)。例如,日本專利申請公開No.2001-93288公開了一種能夠通過一個存儲器單元的四個不同閾值電壓來存儲兩位數據的存儲器系統(tǒng)。
同時,存儲器交叉存取被認為是一種用于提高存儲器系統(tǒng)的存取速度的技術。通過并行地同時存取多個存儲器芯片,存儲器交叉存取提高了數據傳輸速度。例如,日本專利申請公開No.2007-334863公開了一種以交叉方式存取兩個存儲器芯片的NAND型閃速存儲器裝置。
發(fā)明內容
根據本發(fā)明的一個方面,可以提供一種存儲器控制器,其包括:模塊,其被配置為控制與半導體存儲器部件的接口,所述半導體存儲器部件由多個芯片構成,所述多個芯片包括能夠在以N種類型的頁為單位的一個存儲器單元中存儲N位數據(N為大于等于2的整數)的大量存儲器單元;以及控制部件,其被配置為以交叉存取的方式重復地對屬于所述芯片之一的存儲器單元中的所有的所述N種類型的頁執(zhí)行寫程序,然后對屬于所述芯片中的另一芯片的存儲器單元中的所有的所述N種類型的頁執(zhí)行寫程序。
根據本發(fā)明的另一方面,可以提供一種存儲器系統(tǒng),其包括:半導體存儲器部件,其由多個芯片構成,所述多個芯片包括能夠在以N種類型的頁為單位的一個存儲器單元中存儲N位數據(N為大于等于2的整數)的大量存儲器單元;以及存儲器控制器,其具有控制部件,所述控制部件被配置為當執(zhí)行用于以交叉存取方式向所述半導體存儲器部件中寫數據的處理時,重復地對屬于所述芯片之一的存儲器單元中的所述N種類型的頁執(zhí)行寫程序,然后對屬于所述芯片中的另一個芯片的存儲器單元中的所述N種類型的頁執(zhí)行寫程序。
根據本發(fā)明的再一方面,可以提供一種用于存儲器系統(tǒng)的控制方法,該控制方法包括以下步驟:對屬于半導體存儲器部件的芯片之一的存儲器單元中的N種類型的頁執(zhí)行寫程序,所述半導體存儲器部件由多個芯片構成,所述多個芯片包括能夠在以N種類型的頁為單位的一個存儲器單元中存儲N位數據(N為大于等于2的整數)的大量存儲器單元;以及進一步對屬于所述芯片中的另一個芯片的所述存儲器單元之一的存儲器單元中的所述N種類型的頁執(zhí)行寫程序。
附圖說明
圖1示出根據第一實施例的存儲器系統(tǒng)的配置;
圖2是用于示例在多值存儲器中寫入的數據與閾值電壓之間的關系的圖;
圖3是用于示例在已知的存儲器系統(tǒng)中以存儲器交叉存取的方式執(zhí)行寫處理的圖;
圖4是在已知的存儲器系統(tǒng)中以存儲器交叉存取的方式執(zhí)行寫程序的時序圖;
圖5是用于示例以存儲器交叉存取的方式由第一實施例的存儲器控制器執(zhí)行寫處理的圖;
圖6是在以存儲器交叉存取的方式由第一實施例的存儲器控制器寫入時的時序圖;
圖7示出根據第二實施例的存儲器系統(tǒng)的配置;以及
圖8是用于示例由第二實施例的存儲器控制器以存儲器交叉存取的方式執(zhí)行寫處理的圖。
具體實施方式
第一實施例
下文中,將參考附圖描述根據本發(fā)明第一實施例的存儲器系統(tǒng)1。
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