[發明專利]發聲裝置有效
| 申請號: | 200910139277.1 | 申請日: | 2009-04-22 |
| 公開(公告)號: | CN101600141A | 公開(公告)日: | 2009-12-09 |
| 發明(設計)人: | 姜開利;肖林;陳卓;范守善 | 申請(專利權)人: | 清華大學;鴻富錦精密工業(深圳)有限公司 |
| 主分類號: | H04R23/00 | 分類號: | H04R23/00;C01B31/02 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 100084北京市海淀區清華園1*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 發聲 裝置 | ||
1.一種發聲裝置,其包括:
一發聲元件;以及
一信號輸入裝置,用于輸出電信號至該發聲元件;
其特征在于:所述發聲元件包括至少一層碳納米管膜,該碳納米管膜包括多 個首尾相連的碳納米管,該碳納米管的延伸方向大致與該碳納米管膜的表面 平行,所述發聲元件用于接收所述信號輸入裝置輸出的電信號,加熱周圍介 質并與周圍介質發生熱交換從而發出相應聲波。
2.如權利要求1所述的發聲裝置,其特征在于,所述發聲元件的單位面積熱容 小于2×10-4焦耳每平方厘米開爾文。
3.如權利要求1所述的發聲裝置,其特征在于,所述發聲元件的單位面積熱容 小于1.7×10-6焦耳每平方厘米開爾文。
4.如權利要求1所述的發聲裝置,其特征在于,所述發聲裝置的發聲頻率為1赫 茲~10萬赫茲。
5.如權利要求4所述的發聲裝置,其特征在于,所述發聲裝置在500赫茲~4萬 赫茲頻率范圍內的失真度小于3%。
6.如權利要求1所述的發聲裝置,其特征在于,所述發聲裝置的聲壓級大于50 分貝。
7.如權利要求1所述的發聲裝置,其特征在于,所述發聲元件的厚度為0.5納米 ~1毫米。
8.如權利要求1所述的發聲裝置,其特征在于,所述碳納米管在碳納米管膜中基 本沿同一方向擇優取向排列。
9.如權利要求1所述的發聲裝置,其特征在于,所述碳納米管膜進一步包括多個 首尾相連的碳納米管片段,每個碳納米管片段具有大致相等的長度且每個碳 納米管片段由多個相互平行的碳納米管構成,碳納米管片段兩端通過范德華 力相互連接。
10.如權利要求1所述的發聲裝置,其特征在于,所述碳納米管膜中的碳納米管 為單壁碳納米管、雙壁碳納米管及多壁碳納米管中的一種或多種,所述單壁 碳納米管的直徑為0.5納米~50納米,所述雙壁碳納米管的直徑為1.0納米~50 納米,所述多壁碳納米管的直徑為1.5納米~50納米。
11.如權利要求1所述的發聲裝置,其特征在于,所述發聲元件包括至少兩層層 疊設置的碳納米管膜,且相鄰兩層碳納米管膜之間通過范德華力緊密結合。
12.如權利要求1所述的發聲裝置,其特征在于,所述發聲裝置進一步包括至少 兩電極,該至少兩電極間隔設置且與所述發聲元件電連接。
13.如權利要求12所述的發聲裝置,其特征在于,所述發聲裝置包括兩個電極, 所述發聲元件中至少部分碳納米管沿其中一個電極向另一個電極的方向延 伸。
14.如權利要求12所述的發聲裝置,其特征在于,所述至少兩電極進一步通過導 線與所述信號輸入裝置的兩端電連接。
15.如權利要求1所述的發聲裝置,其特征在于,所述發聲裝置包括多個電極, 該多個電極間隔設置且均與所述發聲元件電連接,且該多個電極中任意兩個 相鄰的電極分別與所述信號輸入裝置的兩端電連接。
16.如權利要求12所述的發聲裝置,其特征在于,所述至少兩電極為一維、二維 或三維結構。
17.如權利要求12所述的發聲裝置,其特征在于,所述電極的材料為金屬、導電 膠、金屬性碳納米管或銦錫氧化物。
18.如權利要求12所述的發聲裝置,其特征在于,所述發聲裝置進一步包括一導 電粘結層設置在所述至少兩電極和發聲元件之間。
19.如權利要求1所述的發聲裝置,其特征在于,所述信號輸入裝置輸入的信號 包括交流電信號或音頻電信號。
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