[發明專利]顯示裝置、用于顯示裝置的驅動方法和電子設備無效
| 申請號: | 200910138202.1 | 申請日: | 2009-05-08 |
| 公開(公告)號: | CN101577083A | 公開(公告)日: | 2009-11-11 |
| 發明(設計)人: | 富田昌嗣;淺野慎 | 申請(專利權)人: | 索尼株式會社 |
| 主分類號: | G09G3/30 | 分類號: | G09G3/30;G09G3/32;G09G3/20;H04N5/225;G06F1/16;H04M1/02 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務所 | 代理人: | 郭定輝 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示裝置 用于 驅動 方法 電子設備 | ||
技術領域
本發明涉及顯示裝置、用于顯示裝置的驅動方法和電子設備,更加具體地說,涉及以矩陣二維地排列排列像素的平面屏幕(平板)顯示裝置,用于該顯示裝置的驅動方法和包括該顯示裝置的電子設備。
背景技術
近年來,在顯示圖像的顯示裝置的領域內,其中以矩陣排列像素(像素電路)的平面屏幕顯示裝置快速地流行起來。包括作為各個像素的發光元件的所謂的電流驅動電光元件(其發光亮度根據在元件中流動的電流的值改變)的顯示裝置是一個類型的平面屏幕顯示裝置。另外,當將電場應用于有機薄膜時表現出發光現象的有機電致發光(EL)元件是一個類型的電流驅動電光元件。
包括作為各個像素的電光元件的有機EL元件的有機EL顯示裝置具有如下所述的特征。也就是說,因為能夠在10V或者更少的施加電壓驅動有機EL元件,所以可以通過使用有機EL元件實現功耗的減少。有機EL元件是發光元件。由此,與其中對于每個像素使用液晶控制來自光源的光強度以使得可以顯示圖像的液晶顯示裝置相比,有機EL元件實現高圖像可見度。此外,因為比如背光之類的照明設備不是必要的,所以可以容易地實現重量和厚度的減少。此外,因為有機EL元件的響應速度很高,比如大約幾微秒,所以在顯示運動圖像的情況下不產生余像。
如在液晶顯示裝置中那樣,有機EL顯示裝置可以采用簡單(無源)矩陣方法和有源矩陣方法作為用于有機EL顯示裝置的驅動方法。然而,盡管簡單矩陣顯示裝置具有簡單的配置,但當掃描線的數目(也就是說,像素的數目)增加時電光元件的發光周期縮短。由此,難以實現大尺寸和高清晰度的顯示裝置。
在這種情況下,近年來,已經廣泛地進行了通過相同像素(在其中提供相應的電光元件)中設置的比如隔離柵場效應晶體管之類的有源元件控制流入電光元件的電流的有源矩陣顯示裝置的開發。一般來說,使用薄膜晶體管(TFT)作為隔離柵場效應晶體管。在有源矩陣顯示裝置中,電光元件在一個幀周期期間保持發光。由此,可以容易地實現大尺寸和高清晰度的顯示裝置。
總的來說,有機EL元件的電流-電壓特性(I-V特性)隨著時間經過而惡化(隨時間惡化)。具體來說,在包括N溝道TFT作為通過使用電流驅動有機EL元件的晶體管(在下文中,被稱為“驅動晶體管”)的像素電路中,當有機EL元件的I-V特性隨時間惡化時,驅動晶體管的柵-源電壓Vgs也改變。結果,有機EL元件的發光亮度改變。這是由于有機EL元件連接到驅動晶體管的源極側。
更具體地說,根據驅動晶體管和有機EL元件的工作點確定驅動晶體管的源電位。當有機EL元件的I-V特性惡化時,驅動晶體管和有機EL元件的工作點改變。由此,即使將恒定電壓應用于驅動晶體管的柵極,驅動晶體管的源電位也改變。因此,因為驅動晶體管的源-柵電壓Vgs改變,所以流入驅動晶體管的電流的值改變。結果,因為在有機EL元件中流動的電流的值也改變,所以有機EL元件的發光亮度改變。
具體來說,在包括多晶硅TFT作為驅動晶體管的像素電路中,除了有機EL元件的I-V特性隨時間的惡化之外,驅動晶體管的晶體管特性隨時間變化,且取決于制造工藝,晶體管特性對于每個像素不同。也就是說,驅動晶體管的晶體管特性對于每個像素不同。例如,晶體管特性包括驅動晶體管的閾值電壓Vth、形成驅動晶體管的溝道的半導體薄膜的遷移率(mobility)μ(在下文中,簡單地被稱為“驅動晶體管的移動性μ”)等。
在驅動晶體管的晶體管特性對于每個像素不同的情況下,流入驅動晶體管的電流的值對于每個像素不同。由此,即使將相同的電壓應用于各個像素中的驅動晶體管的柵極,在有機EL元件的發光亮度中存在逐像素的變化。結果,屏幕的一致性(uniformity)(均勻性)惡化。
由此,為了保持有機EL元件的恒定發光亮度而不由有機EL元件的I-V特性隨時間的惡化、驅動晶體管的晶體管特性隨時間的變化等影響發光亮度,像素電路具有各種校正(補償)功能(例如,參見日本未審查專利申請公開No.2006-133542)。
例如,校正功能包括用于有機EL元件的特性變化的補償功能,用于驅動晶體管的閾值電壓Vth的變化的校正功能,用于驅動晶體管的遷移率μ的變化的校正功能等。在下文中,驅動晶體管的閾值電壓Vth的變化的校正將被稱為“閾值校正”,且驅動晶體管的遷移率μ的變化的校正將被稱為“遷移率校正”。
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