[發明專利]Ⅲ族氮化物單晶自立式襯底及利用該襯底制造半導體裝置的方法

無效

• 申請號: 200910137022.1
• 申請日: 2009-04-27
• 公開（公告）號: CN101565854A
• 公開（公告）日: 2009-10-28
• 發明（設計）人: 藤原伸介;中畑成二
• 申請（專利權）人: 住友電氣工業株式會社
• 主分類號: C30B29/38
• 分類號: C30B29/38;H01L21/18
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司
• 代理人: 陳海濤;樊衛民

1.一種平均位錯密度不超過5×10⁵cm^-2的III族氮化物單晶自立式襯底，其包括：

一個以上的高位錯密度區域；以及

多個低位錯密度區域，其中所述低位錯密度區域的位錯密度低于所述高位錯密度區域的位錯密度。

2.如權利要求1所述的III族氮化物單晶自立式襯底，其中所述高位錯密度區域的位錯密度對所述平均位錯密度的比值大得足以阻止裂紋在所述襯底中傳播。

3.如權利要求1所述的III族氮化物單晶自立式襯底，其中所述高位錯密度區域的位錯密度對所述平均位錯密度的比值為2以上。

4.如權利要求1所述的III族氮化物單晶自立式襯底，其中所述高位錯密度區域的位錯密度為5×10⁵cm^-2～3×10⁶cm^-2。

5.如權利要求1所述的III族氮化物單晶自立式襯底，其中所述低位錯密度區域的位錯密度不超過1×10⁵cm^-2。

6.如權利要求1所述的III族氮化物單晶自立式襯底，其中：

所述襯底具有六方晶系結構；以及

在所述襯底中任意選擇的{1-100}面與所述一個以上的高位錯密度區域相交。

7.如權利要求6所述的III族氮化物單晶自立式襯底，其中：所述一個以上的高位錯密度區域形成幾何圖案，從所述襯底的主面看，所述圖案包括如下中的任意一種：條紋圖案、多邊形格子圖案、周期性排列的島狀圖案或非重復性圖案。

8.如權利要求1所述的III族氮化物單晶自立式襯底，其中：

所述襯底主面的表面積為20cm²以上；以及

所述襯底的厚度為1000μm以下。

9.如權利要求1所述的III族氮化物單晶自立式襯底，其中所述襯底為GaN單晶自立式襯底。

10.如權利要求1所述的III族氮化物單晶自立式襯底，其中利用HVPE形成所述襯底。

11.利用權利要求1～10任一項中所述的III族氮化物單晶自立式襯底制造半導體裝置的方法。