[發明專利]光刻膠樹脂、及利用其形成圖案的方法和制造顯示面板的方法有效
| 申請號: | 200910134442.4 | 申請日: | 2009-04-14 |
| 公開(公告)號: | CN101561632A | 公開(公告)日: | 2009-10-21 |
| 發明(設計)人: | 樸廷敏;鄭斗喜;李政洙;李羲國;吳世泰;姜德萬;崔宰榮 | 申請(專利權)人: | 三星電子株式會社;AZ電子材料(日本)株式會社 |
| 主分類號: | G03F7/004 | 分類號: | G03F7/004;G03F7/008;H01L21/336;H01L21/027;H01L21/84 |
| 代理公司: | 北京康信知識產權代理有限責任公司 | 代理人: | 吳貴明;張 英 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 光刻 樹脂 利用 形成 圖案 方法 制造 顯示 面板 | ||
技術領域
本發明涉及光刻膠樹脂、以及利用該光刻膠樹脂形成圖案的方 法和制造顯示面板的方法。
背景技術
顯示器件,如液晶顯示器(“LCD”)或有機發光二極管 (“OLED”)顯示器通常由多個薄膜,如多個導電層、半導體層、 用于使導電層與半導體層絕緣的絕緣層、以及其他層而形成。
薄膜晶體管陣列面板也包括多個薄膜,如柵極導電層、半導體 層、和數據傳導層(data?conductive?layer),這些薄膜可使用掩模通 過光刻法形成圖案。如本文所使用的,光刻法是指形成圖案的方法, 其中,將含有光刻膠樹脂的光刻膠膜涂布在的襯底薄膜上,經圖案 化、曝光、以及顯影而形成具有一定形狀的光刻膠圖案,然后利用 其來蝕刻該薄膜。
隨著掩模數目的增加,需執行額外的曝光、顯影和蝕刻過程, 這樣就增加了生產成本和制造時間。
因此,提出了使用單個掩模形成半導體層和數據傳導層以減少 掩模數目的方法。在該方法中,半導體層和數據傳導層被順序堆疊, 光刻膠膜涂布在其表面上,并且使要形成溝道的半導體層上的部分 光刻膠膜曝光從而使厚度有所不同。
對于光刻膠膜,光敏度和對比度是重要特征。
光刻膠的光敏度是衡量光刻膠膜在曝光時對光的敏感性的指 標。如果光刻膠膜的光敏度高,則能夠以較低的光照劑量在光刻膠 膜中形成光刻膠圖案,因此具有較高光敏度的光刻膠在產率方面是 有利的。光刻膠對比度是衡量光刻膠膜曝光部分和未曝光部分之間 溶解度之差的指標。具有高對比度的光刻膠膜對于形成清晰圖案是 有利的,且特別地,對于形成精細圖案是有利的。此外,為了形成 這樣的精細圖案,光刻膠膜的耐熱性是必需的。
然而,具有高光敏度和高對比度的光刻膠膜的厚度會隨曝光光 線的即使是很小的改變而改變,由此使得光刻膠膜的曝光部分難以 實現均勻的厚度。
發明內容
在一種實施方式中,光刻膠樹脂組合物包括光刻膠樹脂以及溶 劑,該光刻膠樹脂包括堿溶性樹脂和光刻膠化合物,其中堿溶性樹 脂包括由下面的化學式1表示的第一聚合物樹脂。
化學式1
在上面的化學式1中,其中,R1、R2、R3、R4、R5和R6中的 至少一個是羥基,至少兩個是甲基,其余的任意基團是氫,而R7、 R8、R9、R10和R11中的至少一個是羥基,至少兩個是甲基,其余的 任意基團是氫。
堿溶性樹脂可進一步包括選自由酚醛樹脂(novolak?resin)、丙 烯酸樹脂、及它們的組合構成的組中的第二聚合物樹脂。
第一聚合物樹脂的量可為堿溶性樹脂總重量的約5wt%至約50 wt%。
第一聚合物樹脂可由酚單體和醛化合物形成,且該醛化合物可 以是水楊醛化合物。
光刻膠化合物可以是鄰疊氮萘醌化合物。
光刻膠樹脂組合物可包括基于光刻膠樹脂組合物的總重量約5 wt%至約30wt%的堿溶性樹脂、約2wt%至約10wt%的光刻膠化合 物、以及剩余量的溶劑。
在另一種實施方式中,用于形成圖案的方法包括:在襯底表面 上形成薄膜;在相對于襯底的薄膜表面上涂布由光刻膠樹脂組合物 形成的光刻膠膜,該光刻膠樹脂組合物包括堿溶性樹脂、光刻膠化 合物、和溶劑,該堿溶性樹脂包括由上面的化學式1表示的第一聚 合物樹脂;使該光刻膠膜曝光并顯影以形成光刻膠圖案;以及蝕刻 未被光刻膠圖案掩蔽的薄膜部分。
堿溶性樹脂可進一步包括第二聚合物樹脂,該第二聚合物樹脂 選自由酚醛樹脂、丙烯酸樹脂、及它們的組合所構成的組。
第一聚合物樹脂的量可以是堿溶性樹脂總重量的約5wt%至約 50wt%。
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