[發(fā)明專利]一種通過(guò)改善淺溝槽絕緣結(jié)構(gòu)的邊緣形成晶片的方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200910133903.6
• 申請(qǐng)日: 2009-04-07
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN101859725A
• 公開(kāi)（公告）日: 2010-10-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 何榮;曾令旭;朱作華;李煦
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 和艦科技(蘇州)有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/762
• 分類號(hào): H01L21/762;H01L21/316
• 代理公司: 北京連和連知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11278
• 代理人: 張春媛

1.一種通過(guò)改善淺溝槽絕緣結(jié)構(gòu)的邊緣形成晶片的方法，其特征在于包括以下步驟：

步驟1，提供一具有半導(dǎo)體襯底的晶片，該半導(dǎo)體襯底上方至少具有依次沉積的阻擋氧化層和氮化物層；

步驟2，蝕刻形成淺溝槽絕緣結(jié)構(gòu)，并對(duì)該淺溝槽絕緣結(jié)構(gòu)進(jìn)行填充，形成填充氧化層；

步驟3，對(duì)該晶片進(jìn)行化學(xué)機(jī)械剖光，平整填充氧化層；

步驟4，去除氮化物層，并沉積第三氧化層；

步驟5，沉積一層多晶體，而后利用干蝕刻的方式去除表面的多晶體；

步驟6，在半導(dǎo)體襯底中植入離子形成阱區(qū)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種通過(guò)改善淺溝槽絕緣結(jié)構(gòu)的邊緣形成晶片的方法，其特征在于步驟4中的第三氧化層是活性碳纖維氧化層。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種通過(guò)改善淺溝槽絕緣結(jié)構(gòu)的邊緣形成晶片的方法，其特征在于執(zhí)行上述步驟5中之前，在淺溝槽絕緣結(jié)構(gòu)的頂部邊緣具有彎曲的凹陷部，步驟5中干蝕刻的蝕刻時(shí)間是能夠去除不包括該凹陷部中填充的多晶體的表面多晶體。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種通過(guò)改善淺溝槽絕緣結(jié)構(gòu)的邊緣形成晶片的方法，其特征在于還包括再利用光阻進(jìn)行蝕刻并利用酸液去除剩余光阻的步驟。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種通過(guò)改善淺溝槽絕緣結(jié)構(gòu)的邊緣形成晶片的方法，其特征在于還包括對(duì)晶片進(jìn)行氧化形成柵氧化層的步驟。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種通過(guò)改善淺溝槽絕緣結(jié)構(gòu)的邊緣形成晶片的方法，其特征在于該柵氧化層的厚度大于120A。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種通過(guò)改善淺溝槽絕緣結(jié)構(gòu)的邊緣形成晶片的方法，其特征在于步驟1中，還包括在該半導(dǎo)體襯底上涂覆圖案化的光阻，定義蝕刻的步驟。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種通過(guò)改善淺溝槽絕緣結(jié)構(gòu)的邊緣形成晶片的方法，其特征在于所述多晶體為多晶硅。