[發明專利]一種氮化鎵基發光二極管外延襯底及其制備方法無效
| 申請號： | 200910126255.1 | 申請日： | 2009-03-05 |
| 公開（公告）號： | CN101504964A | 公開（公告）日： | 2009-08-12 |
| 發明（設計）人： | 江忠永;徐瑾;陳立人;李東升;田洪濤;楊輝;張向飛 | 申請（專利權）人： | 杭州士蘭明芯科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/00 | 分類號： | H01L33/00 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 氮化 發光二極管 外延 襯底 及其 制備 方法 | ||
1.氮化鎵基發光二極管外延襯底，其特征在于包括襯底以及襯底上的圖形，所述圖形的材料為二氧化硅、碳化硅、氮化硅、氮氧化硅或者二氧化鈦中的一種。
2.如權利要求1所述的氮化鎵基發光二極管外延襯底，其特征在于所述的襯底為藍寶石、硅、碳化硅、砷化稼、氧化鋅中的一種。
3.如權利要求1所述的氮化鎵基發光二極管外延襯底，其特征在于所述的圖形呈半圓形、圓錐形或圓臺形。
4.如權利要求1所述的氮化鎵基發光二極管外延襯底，其特征在于所述的圖形下底的寬度為0.1um至10um，高度為0.1um至3um，圖形間的間距為0.1um至10um。
5.如權利要求1所述的氮化鎵基發光二極管外延襯底，其特征在于所述的圖形下底的寬度為2.5um至4.5um，高度為1.2um至1.8um，，圖形間的間距為0.3um至1um。
6.一種氮化鎵基發光二極管外延襯底的制備方法，步驟為：
(1)在襯底上沉積一層低折射率材料的薄膜；
(2)用光阻在所述的薄膜上制備掩模圖形；
(3)通過刻蝕，將光刻膠掩模的圖形轉移到所述的薄膜上；
(4)清洗襯底，去除殘留的光阻。
7.如權利要求5所述的一種氮化鎵基發光二極管外延襯底的制備方法，其特征在于所述的襯底為藍寶石、硅、碳化硅、砷化稼、氧化鋅中的一種。
8.如權利要求5所述的一種氮化鎵基發光二極管外延襯底的制備方法，其特征在于所述的薄膜為二氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或者二氧化鈦等材料中的一種。
9.如權利要求5所述的氮化鎵基發光二極管外延襯底的制備方法，其特征在于所述的薄膜厚度為0.1um～3um之間。
10.如權利要求5所述的氮化鎵基發光二極管外延襯底的制備方法，其特征在于所述的圖形下底的寬度為2.5um至4.5um，高度為1.2um至1.8um，，圖形間的間距為0.3um至1um。
11.如權利要求5所述的氮化鎵基發光二極管外延襯底的制備方法，其特征在于所述的薄膜折射率小于2.5。
12.如權利要求5所述的氮化鎵基發光二極管外延襯底的制備方法，其特征在于所述的圖形為近似的半球形，圓錐形或圓臺形。
13.如權利要求5所述的氮化鎵基發光二極管外延襯底的制備方法，其特征在于所述的圖形下底的寬度為0.1um至10um，高度0.1um至3um，圖形間的間距為0.1um至10um。
14.如權利要求5所述的氮化鎵基發光二極管外延襯底的制備方法，其特征在于所述步驟(1)的薄膜制備方法為PECVD、電子束蒸發、濺射或溶膠凝膠中的一種。
15.如權利要求5所述的氮化鎵基發光二極管外延襯底的制備方法，其特征在于所述的步驟(2)在薄膜上制備圖像的方法為勻膠、光刻、顯影、熱板烘烤制作刻蝕掩膜。
16.如權利要求5所述的氮化鎵基發光二極管外延襯底的制備方法，其特征在于所述的步驟(3)通過干法刻蝕或濕法腐蝕圖形。
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