[發明專利]一種發光二極管及其制造方法有效
| 申請號: | 200910119595.1 | 申請日: | 2009-03-17 |
| 公開(公告)號: | CN101840971A | 公開(公告)日: | 2010-09-22 |
| 發明(設計)人: | 林文禹;黃世晟;涂博閔;葉穎超;吳芃逸;詹世雄;楊順貴;黃嘉宏 | 申請(專利權)人: | 先進開發光電股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L33/00 | 分類號: | H01L33/00 |
| 代理公司: | 隆天國際知識產權代理有限公司 72003 | 代理人: | 呂俊清 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 發光二極管 及其 制造 方法 | ||
技術領域
本發明涉及一種發光二極管(Light?Emitting?Diode)結構,尤其是一種具有應變補償層的發光二極管。
背景技術
發光二極管(Light?Emitting?Diode)之所以會發光,主要原因是利用半導體在施加電能后轉化為光能的物理特性,當半導體的正負極兩端施加電壓產生電流流經半導體時,會促使半導體內部的電子與空穴相互結合,結合后剩余能量便以光的形式釋放。隨著半導體工藝技術發展,光電相關產業順應技術潮流,不斷研究開發高亮度發光二極管(High?Brightness?LED),不僅是應用在照明上的高亮度白光二極管,也包括了高亮度的各色發光二極管,甚至在未來發光二極管將取代現在傳統照明裝置,研發人員更是積極努力與研發超高亮度的發光二極管(Ultra?High?Brightness?LED),來適應未來整個廣大照明市場的需求。
發光二極管背光取代手持裝置原有的冷光(又稱電激發光ElectroLuminescent;EL)以及液晶電視使用冷陰極熒光燈管(Cold?CathodeFluorescent?Lamp;CCFL)的背光,是目前光電產業的趨勢,由于二極管不僅電路設計更簡潔容易,且有較高的外力抗受性,因此,用發光二極管背光取代液晶電視原有的冷陰極熒光燈管背光,不僅更環保而且顯示更逼真亮麗。用發光二極管照明取代白光燈、鹵素燈等照明,不僅更光亮省電,使用也更長效,且點亮反應更快,用于煞車燈時能減少后車追撞率。
所以,發光二極管從過去只能用在電子裝置的狀態指示燈,進步到成為液晶顯示的背光,再擴展到電子照明及公眾顯示,如車用燈、交通信號燈、看板信息跑馬燈、大型影視墻,甚至是投影機內的照明等,其應用范圍仍在持續地延伸。很重要的一點是,發光二極管的亮度效率就如同摩爾定律(Moore′s?Law)一樣,每24個月提高一倍,過去認為白光二極管只能用來取代過于耗電的白熾燈、鹵素燈,即發光效率在10~30lm/W內的層次,然而在白光二極管突破60lm/W甚至達100lm/W后,就連熒光燈、高壓氣體放電燈等,也開始感受到被替換的威脅。
請參考圖1A,其為傳統發光二極管的典型結構,包括了一基板11、一N型導電的半導體層12、一活性層13以及一P型導電的半導體層14。首先,強化二極管的光轉效率,這也是提高亮度最根源之道,現有發光二極管的每瓦用電中,僅有15%~20%被轉化成光能,其余都被轉化成熱能并消散掉(廢熱),而提高這一轉換效率的重點就在P-N結(P-Njunction)上,P-N結是發光二極管主要的發光發熱位置,通過P-N結的結構設計改變可提高轉化效率。關于發光二極管轉化效率的提高,目前多是在P-N結上形成量子阱(Quantum?Well;QW),以此來提高用電能轉換成光能的比例,更進一步的方法,朝在P-N結上長成更多的量子阱數來努力,即所謂的多重量子阱(Multiple?Quantum?Well;MQW)技術。
如果光轉效率難再要求,進一步的就必須從出光效率的層面下手,此層面的作法相當多,依據不同的化合材料也有不同,目前HB?LED(高亮度)較常使用的兩種化合材料是磷化鋁銦鎵型(AlGaInP)及氮化銦鎵型(InGaN),前者用來產生高亮度的橘紅、橙、黃、綠光,后者GaN用來產生綠、翠綠、藍光,以及用氮化銦鎵型產生近紫外線、藍綠、藍光。
針對發光二極管的亮度提高技術,美國加州州立大學(The?Regents?oftheUniversity?of?California)在美國專利US?7091514提出利用新的半導體工藝方法,生成出非極性(Non-polar)氮化鎵(GaN)取代傳統極性氮化鎵材料,在非極性氮化鎵底材上長成的量子阱(Quantum?Well;QW),能具有更佳的電能轉換成光能效率。該專利主要技術在于制作以r-plane藍寶石基板取代傳統c-plane藍寶石基板,以制作出非極性氮化鎵薄膜。
理論上,非極性量子阱的特性相較傳統c-plane制作出極性量子阱,具有較佳的電子空穴復合率。實際上,使用r-plane藍寶石基板成長出的非極性氮化鎵薄膜,雖能消除發光二極管在PN結上電場效應,由于結晶取向(crystal-orientation)的原因,不僅晶體底材(template)成長不易,而最后的氮化鎵結晶表面也十分不平整,導致降低整體發光效率。
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