[發(fā)明專利]一種發(fā)光二極管及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200910119595.1
• 申請日: 2009-03-17
• 公開（公告）號: CN101840971A
• 公開（公告）日: 2010-09-22
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 林文禹;黃世晟;涂博閔;葉穎超;吳芃逸;詹世雄;楊順貴;黃嘉宏
• 申請（專利權(quán)）人: 先進開發(fā)光電股份有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00
• 代理公司: 隆天國際知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 72003
• 代理人: 呂俊清

1.一種發(fā)光二極管，包含：

一基板；以及

一化合物半導(dǎo)體復(fù)合層，位于該基板上，并且該化合物半導(dǎo)體復(fù)合層包含一N型導(dǎo)電的半導(dǎo)體層、一P型導(dǎo)電的半導(dǎo)體層、一活性層、第一應(yīng)變補償層與第二應(yīng)變補償層，其中該活性層位于該N型導(dǎo)電的半導(dǎo)體層與該P型導(dǎo)電的半導(dǎo)體層之間，該第一應(yīng)變補償層與該第二應(yīng)變補償層位于該N型導(dǎo)電的半導(dǎo)體層與該活性層之間。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其中所述的第一應(yīng)變補償層、該第二應(yīng)變補償層與該活性層的能隙分別為E_gf，E_gs，E_ga，并且E_gs＞E_gf＞E_ga。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)光二極管，其中所述的第一應(yīng)變補償層為In_xGa_1-xN，其中0≤x≤1，或為Al_xIn_yGa_1-x-yN，其中x≥0、y≥0，且x+y≤1。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)光二極管，其中所述的第二應(yīng)變補償層為Al_yGa_1-yN，其中0≤y≤1，或為Al_uIn_vGa_1-u-vN，其中u≥0、v≥0且u+v≤1。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)光二極管，其中所述的第一應(yīng)變補償層的厚度為且第二應(yīng)變補償層的厚度為

6.一種發(fā)光二極管的制造方法：

提供一外延基板；

形成一N型導(dǎo)電的半導(dǎo)體層于該基板上；

形成一第一應(yīng)變補償層于該N型導(dǎo)電的半導(dǎo)體層上；

形成一第二應(yīng)變補償層于該第一應(yīng)變補償層上；

形成一活性層于該第二應(yīng)變補償層上；以及

形成一P型導(dǎo)電的半導(dǎo)體層于該活性層上。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的發(fā)光二極管的制造方法，其中所述的第一應(yīng)變補償層、該第二應(yīng)變補償層與該活性層的能隙分別為E_gf，E_gs，E_ga，并且E_gs＞E_gf＞E_ga。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的發(fā)光二極管的制造方法，其中所述的第一應(yīng)變補償層為In_xGa_1-xN，其中0≤x≤1，或為Al_xIn_yGa_1-x-yN，其中x≥0、y≥0，且x+y≤1。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的發(fā)光二極管的制造方法，其中所述的第二應(yīng)變補償層為Al_yGa_1-yN，其中0≤y≤1，或為Al_uIn_vGa_1-u-vN，其中u≥0、v≥0且u+v≤1。

10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的發(fā)光二極管的制造方法，其中所述的第一應(yīng)變補償層的厚度為且第二應(yīng)變補償層的厚度為