[發明專利]金屬硫屬化物晶態微孔材料的制備方法

無效

• 申請號: 200910112922.0
• 申請日: 2009-12-08
• 公開（公告）號: CN102086043A
• 公開（公告）日: 2011-06-08
• 發明（設計）人: 李建榮;何小武;黃小滎
• 申請（專利權）人: 中國科學院福建物質結構研究所
• 主分類號: C01G19/00
• 分類號: C01G19/00;C01F17/00;C01F7/70;C01G1/12;C01G3/12;C01G5/00;B01J31/26;B01J20/02
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1.一種離子熱制備微孔金屬硫屬化物的方法：將金屬元素，硫屬單質S、Se或Te，離子液體和少量的輔助溶劑按質量比1∶2.5∶10∶1的比例混合，密封，加熱恒溫120-160℃反應數天，然后自然降溫至室溫，以乙醇充分洗滌可得到目標產物；其中金屬元素為13，14，15族金屬元素或其與過渡金屬元素的組合，離子液體包括咪唑類氯鹽離子液體及其衍生物，輔助溶劑，包括常見的胺類。

2.如權利要求1所述的制備微孔金屬硫屬化物的方法，其特征為：所述的金屬元素為Sn，離子液體為1-丁基-3-甲基咪唑氯鹽BmimCl、1-丁基-2，3-二甲基咪唑氯鹽bmmimCl或1-戊基-2，3-二甲基咪唑氯鹽C₅mmimCl，輔助溶劑為水合聯胺或乙二胺。

3.一類采用權利要求2所述制備微孔金屬硫屬化物的方法制備得到的微孔金屬硫屬化物：[bmim]₄[Sn₉Se₂₀]，[bmmim]₄[Sn₉Se₁₉(Se₂)]，[bmmim]₈[Sn₁₈Se₄₀]和[C₅mmim]₈[Sn₁₇Se₃₈]，其晶胞參數分別為：[bmim]₄[Sn₉Se₂₀]結晶于單斜晶系，空間群為P2_l/c，單胞參數為：a＝19.974(8)b＝26.854(10)c＝14.575(6)β＝105.071(7)°，V＝7549(5)Z＝4；[bmmim]₄[Sn₉Se₁₉(Se₂)]結晶于單斜晶系，空間群為Cc，單胞參數為：a＝20.594(5)b＝11.083(2)c＝36.208(8)β＝104.936(4)°，V＝7985(3)Z＝4；[bmmim]₈[Sn₁₈Se₄₀]屬單斜晶系，空間群為P2_l/n，單胞參數為：a＝20.417(5)b＝21.765(5)c＝36.419(9)β＝105.298(4)°，V＝15610(6)Z＝4；[C₅mmim]₈[Sn₁₇Se₃₈]屬三斜晶系，空間群為P-1，單胞參數為：a＝20.447(8)b＝22.292(10)c＝23.468(13)α＝115.013(13)°，β＝110.56(3)°，γ＝92.31(3)°，V＝8849(7)Z＝2。

4.一種根據權利要求1或2所述的所述制備微孔金屬硫屬化物的方法制備得到的微孔金屬硫屬化物在太陽能光電，光催化方面的應用。