[發(fā)明專利]一種多晶硅的除硼提純方法及裝置無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200910111808.6 | 申請日: | 2009-05-19 |
| 公開(公告)號: | CN101555015A | 公開(公告)日: | 2009-10-14 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 羅學(xué)濤;蔡靖;李錦堂;鄭淞生;陳文輝;龔惟陽;沈曉杰;陳朝 | 申請(專利權(quán))人: | 廈門大學(xué) |
| 主分類號: | C01B33/037 | 分類號: | C01B33/037 |
| 代理公司: | 廈門南強(qiáng)之路專利事務(wù)所 | 代理人: | 馬應(yīng)森 |
| 地址: | 361005福*** | 國省代碼: | 福建;35 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 多晶 提純 方法 裝置 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種多晶硅,尤其是涉及一種采用冶金法的多晶硅的除硼提純方法及裝置。
背景技術(shù)
能源危機(jī)和傳統(tǒng)能源對環(huán)境的污染已成為社會和國民經(jīng)濟(jì)發(fā)展的主要制約因素。為維持 可持續(xù)發(fā)展,世界各國都在積極調(diào)整能源結(jié)構(gòu),大力發(fā)展可再生能源,多晶硅太陽能電池成 為全球關(guān)注的熱點(diǎn)。采用改良西門子法制備高純多晶硅的工藝較為復(fù)雜,投資成本高,用其 制備太陽電池將會大大增加電池價(jià)格。而冶金法提純多晶硅工藝相對簡單,成本低廉,且對 環(huán)境的造成污染相對較小,已成為太陽能級多晶硅的主要發(fā)展方向。
工業(yè)硅是生產(chǎn)太陽能級多晶硅的重要原料,但其純度在2N左右,往往需要提純處理以 去除其中的雜質(zhì)元素,如Al、Ca、Fe、C、P、B等,尤其是P、B等非金屬雜質(zhì)。多晶硅材 料中最難以去除的是P和B,因?yàn)镻、B在Si中的分凝系數(shù)分別為0.35、0.8,遠(yuǎn)高于金屬元 素(金屬元素在硅中的分凝系數(shù)一般為:10-2~10-7數(shù)量級),所以,在常規(guī)的定向凝固提純 過程中,當(dāng)硅從液體冷卻凝固為固體時(shí),停留在固相中的P和B仍然很多,提純效果差。
對于P雜質(zhì)而言,最有效的除P方法是利用P在真空下的蒸氣壓隨溫度升高而很快增加 的特點(diǎn),采用真空除磷。例如美國專利US5254300公開了一種方法,將熔融硅在減壓下精煉, 使P進(jìn)入氣相,揮發(fā)除去。而對于B雜質(zhì),例如1823K時(shí),硅的蒸汽壓為0.40Pa,B的飽 和蒸氣壓為6.78×10-7Pa,遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于硅,因此,無法采用真空冶煉的方法去除B。
日本東京大學(xué)Kazuki?Morita等人在論文“Refining?of?Si?by?the?solidification?of?Si-Al?melt with?electromagnetic?force”(ISIJ?International,Vol.45(2005),No.7,pp.967~971)中提出在電 場作用下從Si-Al合金熔體中固化精煉硅的方法,并從理論計(jì)算和實(shí)驗(yàn)測量中得出B在Si-Al 合金熔體中的分凝系數(shù)有較大幅度的降低。而在另一篇論文“Boron?removal?by?titanium addition?in?solidification?refining?of?silicon?with?Si-Al?melt”(Takeshi?Yoshikawa,Kentaro?Arimura, Kazuki?Morita,Metallurgical?and?Materials?Transactions?B,Volume?36,Number?6,837~842,2005) 中提出,在Si-Al合金熔體中添加Ti元素,可形成TiB2沉淀析出。美國專利US4256717和 US4312848也公開了采用類似分離結(jié)晶方法,添加合金元素,去除多晶硅中的B雜質(zhì)。但以 上方法在如何將Si和Al分離,實(shí)現(xiàn)工業(yè)化生產(chǎn)等方面仍有待研究。美國專利US20060123947 采用電子束真空冶煉,將多晶硅中的B雜質(zhì)從55ppmw降至25ppmw。美國專利US5182091 和Tomonori?Kumagai等的論文(Tomonori?Kumagai?et?al.Removal?of?boron?from?metallurgical -grade?silicon?by?applying?the?plasma?treatment”ISIJ?International,1992,32(5),630-634)均公 開了一種向熔融硅表面施加等離子體的方法,具有很好的除B效果,但以上工藝耗電大、設(shè) 備要求高、成本昂貴。
目前,低成本冶金法除B主要利用反應(yīng)氣體和熔渣與硅液中的B發(fā)生氧化反應(yīng),反應(yīng)產(chǎn) 物將以含B的氣體,比如HBO2形式從體系中排出,或生成硼氧化物,如BO1.5,進(jìn)入熔渣體 系中,通過渣金分離除去。
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