[發明專利]垂直雙擴散金屬氧化物半導體場效應管

有效

• 申請號: 200910110065.0
• 申請日: 2009-11-10
• 公開（公告）號: CN101719509A
• 公開（公告）日: 2010-06-02
• 發明（設計）人: 譚咸寧
• 申請（專利權）人: 深圳深愛半導體有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/06
• 代理公司: 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 鄭小粵

1.一種垂直雙擴散金屬氧化物半導體場效應管，其特征在于，所述垂 直雙擴散金屬氧化物半導體場效應管的終端結構包括：硅基襯底，設于硅基 襯底上的外延層，在外延層上部設置的至少一個分壓環，位于外延層上的氧化 層，設于氧化層上的多晶硅場板，多晶硅場板表面的玻璃層，以及設于玻璃層 上的金屬場板，所述至少一個分壓環中的一個分壓環、以及依次覆蓋其上的氧 化層、多晶硅場板、玻璃層、金屬場板構成至少一個場板分壓環復合結構，所 述構成場板分壓環復合結構的分壓環上設置有第一通孔，金屬場板通過第一通 孔與該分壓環接觸。

2.根據權利要求1所述的垂直雙擴散金屬氧化物半導體場效應管，其特 征在于：所述至少一個分壓環中除所述構成場板分壓環復合結構的分壓環以外 的一個分壓環、以及依次覆蓋其上的氧化層、多晶硅場板、玻璃層構成環節。

3.根據權利要求1所述的垂直雙擴散金屬氧化物半導體場效應管，其特 征在于：所述終端結構進一步包括設于玻璃層和金屬場板表面的氮化硅層。

4.根據權利要求1所述的垂直雙擴散金屬氧化物半導體場效應管，其特 征在于：所述場板分壓環復合結構采用浮置場板結構，多晶硅場板只覆蓋分壓 環的一部分，所述第一通孔設置于分壓環上未被多晶硅場板覆蓋的部分，使得 金屬場板通過第一通孔貫穿氧化層、多晶硅場板、玻璃層，且在通孔內并不與 多晶硅場板接觸；所述多晶硅場板上設有第二通孔，使金屬場板貫穿玻璃層與 多晶硅場板接觸。

5.根據權利要求1所述的垂直雙擴散金屬氧化物半導體場效應管，其特 征在于：所述氧化層的成分為二氧化硅；所述玻璃層的成分是硼磷硅玻璃或 磷硅玻璃。

6.根據權利要求2所述的垂直雙擴散金屬氧化物半導體場效應管，其特 征在于：所述場板分壓環復合結構位于環節的兩側。

7.根據權利要求2所述的垂直雙擴散金屬氧化物半導體場效應管，其特 征在于：所述環節的數量為零至五個。

8.根據權利要求1-7中任意一項所述的垂直雙擴散金屬氧化物半導體場 效應管，其特征在于：所述垂直雙擴散金屬氧化物半導體場效應管是N溝 道場效應管，所述硅基襯底的成分為N型硅，所述外延層的成分為N-型硅， 所述分壓環的成分為P型硅。

9.根據權利要求1-7中任意一項所述的垂直雙擴散金屬氧化物半導體場 效應管，其特征在于：所述垂直雙擴散金屬氧化物半導體場效應管是P溝道 場效應管，所述硅基襯底的成分為P型硅，所述外延層的成分為P-型硅，所 述分壓環的成分為N型硅。

10.根據權利要求2所述的垂直雙擴散金屬氧化物半導體場效應管，其 特征在于：所述環節以陣列形式排列，兩相鄰環節之間的間距沿著芯片中央至 芯片邊界的方向逐漸減小，且任意兩相鄰環節間的間距小于場板分壓環復合結 構與相鄰環節間的間距。