[發明專利]在氮氣下鑄造氮濃度可控的摻氮單晶硅的方法有效
| 申請號： | 200910099990.8 | 申請日： | 2009-06-24 |
| 公開（公告）號： | CN101597787A | 公開（公告）日： | 2009-12-09 |
| 發明（設計）人： | 余學功;楊德仁 | 申請（專利權）人： | 浙江大學 |
| 主分類號： | C30B11/00 | 分類號： | C30B11/00;C30B27/00;C30B29/06 |
| 代理公司： | 杭州天勤知識產權代理有限公司 | 代理人： | 胡紅娟 |
| 地址： | 310027浙*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 氮氣 鑄造 濃度 可控 單晶硅 方法 | ||
【權利要求書】：
1.在氮氣下鑄造氮濃度可控的摻氮單晶硅的方法，包括以下步驟：
(1)將無位錯的原料單晶硅塊鋪滿坩堝底部，再將多晶硅置于原料單晶硅塊上，加入電活性摻雜劑，裝爐；
其中，所述的電活性摻雜劑為硼、鎵或磷；
(2)將爐室抽成真空后通入氬氣，調整爐內保溫罩的位置并加熱到1400℃以上，使得電活性摻雜劑、多晶硅和靠近多晶硅的部分原料單晶硅塊融化成液體；
所述的融化的部分原料單晶硅塊的厚度為原料單晶硅塊的總厚度的10％～90％；
(3)在晶體生長時，將氬氣換成氮氣，氮氣的壓力為5～200Torr，流量為1～200L/min；然后以1～4mm/min的速度提升爐內保溫罩并冷卻坩鍋底部，以在坩堝底部下部未融化的部分原料單晶硅塊作為籽晶，定向凝固，形成含氮濃度為1×1013～5×1015/cm3的摻氮單晶硅；
所述的電活性摻雜劑的加入量以形成的摻氮單晶硅中含有的硼、鎵或磷濃度為1×1015～1×1017/cm3計。
2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于：步驟(1)中，所述的無位錯的原料單晶硅塊的厚度為5～20mm。?
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